[發(fā)明專利]一種接觸孔的性能預(yù)估模型及方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810589936.0
• 申請(qǐng)日: 2018-06-08
• 公開（公告）號(hào): CN108807209A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賈洋;奉偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種接觸孔的性能預(yù)估模型，包括：表面無(wú)離子注入的襯底；氧化層，覆蓋襯底的上表面；氮化層，覆蓋氧化層的上表面；層間介質(zhì)層，形成于氮化層的上表面；層間介質(zhì)層中制備有至少一個(gè)第一接觸孔；以及一種接觸孔的性能預(yù)估方法，應(yīng)用于一全制程晶圓，性能預(yù)估方法包括：步驟S1，提供一性能預(yù)估模型；步驟S2，采用電子束掃描的方式檢測(cè)性能預(yù)估模型中的第一接觸孔；步驟S3，根據(jù)性能預(yù)估模型中接觸孔的檢測(cè)結(jié)果，對(duì)全制程晶圓中的第二接觸孔的性能進(jìn)行預(yù)估；能夠模擬全制程晶圓中在無(wú)離子注入的情況下的接觸孔的導(dǎo)電性能情況，有利于對(duì)接觸孔制備制程的改良形成參考。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種接觸孔的性能預(yù)估模型及方法。

背景技術(shù)

隨著集成電路的發(fā)展，影響集成電路性能的工藝環(huán)節(jié)越來越多。在MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱MOSFET)器件結(jié)構(gòu)中，往往需要通過接觸孔對(duì)主動(dòng)區(qū)域進(jìn)行連接，因此，接觸孔的導(dǎo)電性能能夠極大地影響MOSFET器件結(jié)構(gòu)的性能。

接觸孔的缺陷大致可分為兩種，一種是導(dǎo)致接觸孔失效的缺陷，此時(shí)接觸孔的導(dǎo)電性能極差甚至斷路，這種缺陷可以很容易地檢測(cè)出來。但是另一種缺陷，例如接觸孔底部尺寸較窄，雖然會(huì)導(dǎo)致接觸孔的導(dǎo)電性能受到一定影響，卻不至于造成接觸孔斷路，加上主動(dòng)區(qū)往往會(huì)進(jìn)行表面離子注入，導(dǎo)電能力增強(qiáng)，對(duì)于接觸孔底部尺寸較小的情況檢測(cè)起來難度很大。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)上述問題，本發(fā)明提出了一種接觸孔的性能預(yù)估模型，其中，包括：

表面無(wú)離子注入的襯底；

氧化層，覆蓋所述襯底的上表面；

氮化層，覆蓋所述氧化層的上表面；

層間介質(zhì)層，形成于所述氮化層的上表面；

所述層間介質(zhì)層中制備有至少一個(gè)第一接觸孔。

上述的性能預(yù)估模型，其中，所述氮化層由氮化硅制備形成。

上述的性能預(yù)估模型，其中，所述層間介質(zhì)層由氮氧化硅制備形成。

上述的性能預(yù)估模型，其中，所述氧化層由氧化硅制備形成。

一種接觸孔的性能預(yù)估方法，應(yīng)用于一全制程晶圓，其中，所述性能預(yù)估方法包括：

步驟S1，提供如上任一所述性能預(yù)估模型；

步驟S2，采用電子束掃描的方式檢測(cè)所述性能預(yù)估模型中的所述第一接觸孔；

步驟S3，根據(jù)所述性能預(yù)估模型中所述接觸孔的檢測(cè)結(jié)果，對(duì)所述全制程晶圓中的第二接觸孔的性能進(jìn)行預(yù)估。

上述的性能預(yù)估方法，其中，所述第一接觸孔和所述第二接觸孔均為陣列式。

上述的性能預(yù)估方法，其中，所述步驟S3中，所述第一接觸孔在所述性能預(yù)估模型上的分布與所述第二接觸孔在所述全制程晶圓上的分布相同。

上述的性能預(yù)估方法，其中，所述檢測(cè)結(jié)果具體為：

所述性能預(yù)估模型中每個(gè)所述第一接觸孔的導(dǎo)通電子量在所述性能預(yù)估模型中的分布情況。

上述的性能預(yù)估方法，其中，所述檢測(cè)結(jié)果具體為：

所述性能預(yù)估模型中所有所述第一接觸孔的導(dǎo)通電子量的總和。

上述的性能預(yù)估方法，其中，所述檢測(cè)結(jié)果具體為：

所述性能預(yù)估模型中所有所述第一接觸孔的導(dǎo)通電子量的平均值。