[發明專利]一種接觸孔的性能預估模型及方法

在審

• 申請號: 201810589936.0
• 申請日: 2018-06-08
• 公開（公告）號: CN108807209A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: 賈洋;奉偉
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種接觸孔的性能預估模型，其特征在于，包括：

表面無離子注入的襯底；

氧化層，覆蓋所述襯底的上表面；

氮化層，覆蓋所述氧化層的上表面；

層間介質層，形成于所述氮化層的上表面；

所述層間介質層中制備有至少一個第一接觸孔。

2.根據權利要求1所述的性能預估模型，其特征在于，所述氮化層由氮化硅制備形成。

3.根據權利要求1所述的性能預估模型，其特征在于，所述層間介質層由氮氧化硅制備形成。

4.根據權利要求1所述的性能預估模型，其特征在于，所述氧化層由氧化硅制備形成。

5.一種接觸孔的性能預估方法，應用于一全制程晶圓，其特征在于，所述性能預估方法包括：

步驟S1，提供如權利要求1～4任一所述性能預估模型；

步驟S2，采用電子束掃描的方式檢測所述性能預估模型中的所述第一接觸孔；

步驟S3，根據所述性能預估模型中所述接觸孔的檢測結果，對所述全制程晶圓中的第二接觸孔的性能進行預估。

6.根據權利要求5所述的性能預估方法，其特征在于，所述第一接觸孔和所述第二接觸孔均為陣列式。

7.根據權利要求6所述的性能預估方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述第一接觸孔在所述性能預估模型上的分布與所述第二接觸孔在所述全制程晶圓上的分布相同。

8.根據權利要求7所述的性能預估方法，其特征在于，所述檢測結果具體為：

所述性能預估模型中每個所述第一接觸孔的導通電子量在所述性能預估模型中的分布情況。

9.根據權利要求6所述的性能預估方法，其特征在于，所述檢測結果具體為：

所述性能預估模型中所有所述第一接觸孔的導通電子量的總和。

10.根據權利要求6所述的性能預估方法，其特征在于，所述檢測結果具體為：

所述性能預估模型中所有所述第一接觸孔的導通電子量的平均值。