[發明專利]顯示面板有效
| 申請號: | 201810588352.1 | 申請日: | 2018-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN108520895B | 公開(公告)日: | 2021-07-30 |
| 發明(設計)人: | 王培筠;薛芷苓;陳佳楷 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 黃艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 | ||
一種顯示面板包括基底、像素陣列、復合絕緣層與封裝層。基底具有顯示區與外圍區,像素陣列位于基底上且位于顯示區內,像素陣列包括多個薄膜晶體管、多個電激發光元件與像素定義層。多個電激發光元件分別電性連接對應的薄膜晶體管的漏極,像素定義層位于薄膜晶體管上。復合絕緣層位于基底上且位于外圍區,復合絕緣層包括第一絕緣層與第二絕緣層,第二絕緣層位于第一絕緣層與基底之間,溝槽貫穿第一絕緣層與第二絕緣層。封裝層位于像素陣列與復合絕緣層上,封裝層與溝槽重疊。
技術領域
本發明涉及一種具有電子元件的基板,且特別涉及一種顯示面板。
背景技術
在現在的顯示面板的制作程序中,基底會作為顯示面板的底層。完成后的顯示面板可劃分為顯示區與圍繞著顯示區的外圍區,而由于基底是作為顯示面板的底層,則基底也可劃分為對應的顯示區與外圍區。在顯示面板的制程中,多層的結構如金屬線路、絕緣層與電子元件等,會在垂直于基底的垂直方向上依序成形在所述基底上,多層絕緣層位于外圍區的部分會在所述垂直方向上被刀具加以切割,以去除多余的部分而形成所述顯示面板。
發明內容
在現有顯示面板的制作程序中,所述外圍區會被刀具加以切割,然而,刀具在切割時所產生的應力可能會導致切割處產生裂痕,裂痕便因為顯示面板的撓曲或形變而向顯示區的方向延伸,裂痕延伸的愈長,就愈有可能延伸至金屬線路或電子元件而造成其破損或斷裂,從而降低顯示面板的生產良率。現有顯示面板的外圍區的多層絕緣層,多半是采用無機材料,相較于有機材料,無機材料的機械性質較為硬且脆,因此一旦外圍區的切割處產生裂痕,此裂痕很容易延伸到顯示區中并破壞電性元件。
本發明的至少一實施例提出一種顯示面板,以避免外圍區在被切割時產生裂痕。
本發明的至少一實施例提出一種顯示面板,即使外圍區在被切割時產生了裂痕,也能阻止外圍區的裂痕往顯示區的方向延伸,以避免顯示面板的電性元件被裂痕破壞。
本發明的至少一實施例提出一種顯示面板包括基底、像素陣列、復合絕緣層與封裝層。基底具有顯示區與外圍區,外圍區實質上圍繞顯示區。像素陣列位于基底上且位于顯示區內,像素陣列包括多個薄膜晶體管、多個電激發光元件與像素定義層。各薄膜晶體管包括主動層、閘絕緣層、柵極、層間絕緣層、源極與漏極。閘絕緣層位于主動層上,柵極位于閘絕緣層上,層間絕緣層位于柵極上,源極與漏極位于層間絕緣層上且分別通過多個第一接觸洞而電性連接主動層,所述第一接觸洞貫穿層間絕緣層與閘絕緣層。多個電激發光元件分別電性連接對應的薄膜晶體管的漏極,像素定義層位于層間絕緣層上。復合絕緣層位于基底上且位于外圍區,復合絕緣層包括第一絕緣層與第二絕緣層。第一絕緣層與層間絕緣層由同一材料層形成且直接連接,第二絕緣層位于第一絕緣層與基底之間,第二絕緣層與閘絕緣層由同一材料層形成且直接連接,且其中至少一溝槽貫穿第一絕緣層與第二絕緣層。封裝層位于像素陣列與復合絕緣層上,封裝層與至少一溝槽重疊。
綜上所述,根據本發明所提出的顯示面板的諸多實施例,其可降低外圍區在被切割時產生裂痕的可能,且即使有裂痕產生,也可使裂痕無法延伸至顯示區,從而可避免顯示面板的電性元件因為裂痕而破損或斷裂。
以下在實施方式中詳細敘述本發明的詳細特征以及優點,其內容足以使任何本領域技術人員了解本發明的技術內容并據以實施,且根據本說明書所公開的內容、申請專利范圍及附圖,任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關的目的及優點。
附圖說明
圖1為本發明第一實施例的顯示面板的上視圖;
圖2為圖1的顯示面板于線段2-2處的剖視圖;
圖3為本發明第二實施例的顯示面板的剖視圖;
圖4為本發明第三實施例的顯示面板的剖視圖;
圖5為圖4的顯示面板的上視圖;
圖6為本發明第四實施例的顯示面板的上視圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





