[發明專利]顯示面板有效
| 申請號: | 201810588352.1 | 申請日: | 2018-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN108520895B | 公開(公告)日: | 2021-07-30 |
| 發明(設計)人: | 王培筠;薛芷苓;陳佳楷 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 黃艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 | ||
1.一種顯示面板,包括:
一基底,具有一顯示區與一外圍區,該外圍區實質上圍繞該顯示區;
一像素陣列,位于該基底上且位于該顯示區內,該像素陣列包括:
多個薄膜晶體管,各該薄膜晶體管包括:
一主動層;
一閘絕緣層,位于該主動層上;
一柵極,位于該閘絕緣層上;
一層間絕緣層,位于該柵極上;以及
一源極與一漏極,位于該層間絕緣層上且分別通過多個第一接觸洞而電性連接該主動層,所述第一接觸洞貫穿該層間絕緣層與該閘絕緣層;
多個電激發光元件,分別電性連接對應的該薄膜晶體管的該漏極;以及
一像素定義層,位于該層間絕緣層上;
一復合絕緣層,位于該基底上且位于該外圍區,該復合絕緣層包括:
一第一絕緣層,與該層間絕緣層由同一材料層形成;以及
一第二絕緣層,位于該第一絕緣層與該基底之間,該第二絕緣層與該閘絕緣層由同一材料層形成,其中至少一溝槽貫穿該第一絕緣層與該第二絕緣層;
一封裝層,位于該像素陣列與該復合絕緣層上,該封裝層與該至少一溝槽重疊,其中,該封裝層包括一第一無機薄膜封裝層、一有機薄膜封裝層與一第二無機薄膜封裝層,該第一無機薄膜封裝層位于該像素陣列與該復合絕緣層上,該有機薄膜封裝層位于該第一無機薄膜封裝層與該第二無機薄膜封裝層之間,且該有機薄膜封裝層延伸到該至少一溝槽中而該第一無機薄膜封裝層與該第二無機薄膜封裝層并不延伸到該至少一溝槽中;以及
至少一擋墻,位于該第一絕緣層上,其中,該至少一溝槽位于該至少一擋墻以及該像素陣列之間,其中該封裝層接觸該至少一擋墻,該至少一擋墻位于該至少一溝槽以及該像素陣列的外側。
2.如權利要求1所述的顯示面板,其中,該像素陣列還包括一緩沖層位于該基底與該主動層之間,該復合絕緣層還包括一第三絕緣層位于該基底與該第二絕緣層之間,該第三絕緣層與該緩沖層由同一材料層形成。
3.如權利要求2所述的顯示面板,其中,該至少一溝槽更貫穿該第三絕緣層。
4.如權利要求3所述的顯示面板,其中,該至少一溝槽包括一第一溝槽與一第二溝槽,該第二溝槽位在該第一溝槽與該像素陣列之間。
5.如權利要求2所述的顯示面板,其中,該至少一溝槽包括一第一溝槽與一第二溝槽,該第二溝槽位在該第一溝槽與該像素陣列之間。
6.如權利要求1至5中任一所述的顯示面板,其中,各該電激發光元件包括:
一下電極,位于該層間絕緣層與該像素定義層之間;
一上電極;以及
一發光層,位于貫穿該像素定義層的一開口中且位于該下電極以及該上電極之間,
其中,該像素陣列還包括一平坦層位于該層間絕緣層與該像素定義層之間,該平坦層具有多個第二接觸洞,
其中,所述電激發光元件的該下電極分別通過所述第二接觸洞電性連接至對應的該薄膜晶體管的該漏極。
7.如權利要求1所述的顯示面板,其中,該至少一擋墻與該像素定義層由同一材料層形成,其中,(1)該第一無機薄膜封裝層覆蓋該至少一擋墻;或(2)該第二無機薄膜封裝層覆蓋該至少一擋墻;或(3)該第一無機薄膜封裝層及該第二無機薄膜封裝層共同覆蓋該至少一擋墻;其中該有機薄膜封裝層位于該至少一擋墻的內側而不接觸該至少一擋墻且不延伸至該至少一擋墻的外側。
8.如權利要求1所述的顯示面板,其中,該復合絕緣層還包括一有機絕緣填料,該有機絕緣填料位于該至少一溝槽內。
9.如權利要求8所述的顯示面板,其中,該有機絕緣填料與該像素定義層由同一材料層形成。
10.如權利要求1所述的顯示面板,其中,該有機薄膜封裝層的一部分填入該至少一溝槽內。
11.如權利要求1所述的顯示面板,其中,該第一無機薄膜封裝層的一部分與該有機薄膜封裝層的一部分填入該至少一溝槽內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





