[發明專利]一種NLDMOS器件和LDMOS功率器件的制造方法

有效

• 申請號: 201810588296.1
• 申請日: 2018-06-08
• 公開（公告）號: CN108807502B
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 劉憲周
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種全隔離型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底；

在襯底之上形成N型埋層和P型埋層；

在N型埋層和P型埋層之上形成外延層；

對外延層進行光刻、蝕刻和化學機械研磨形成淺溝槽隔離結構；

在位于N型埋層之上的外延層的表面進行介質層沉積；

采用同一掩模板對介質層進行光刻去掉多余的介質層形成場效應氧化層，以及對外延層進行光刻和第一次離子注入形成P型漏極漂移區與N型埋層之間的P型隔離結構以及形成N型漏極漂移區與N型埋層之間的預制P型隔離結構；

采用PGRD光罩對外延層進行光刻和離子注入形成P型漏極漂移區，采用NGRD光罩對外延層進行光刻和離子注入形成N型漏極漂移區，同時對位于N型漏極漂移區下方的預制P型隔離結構進行第二次離子注入，形成N型漏極漂移區與N型埋層之間的P型隔離結構，并在P型漏極漂移區內形成P型阱區，以及在N型漏極漂移區內形成N型阱區；

在場效應氧化層之上形成柵極結構。

2.如權利要求1所述的全隔離型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述采用PGRD光罩對外延層進行光刻和離子注入形成P型漏極漂移區，采用NGRD光罩對外延層進行光刻和離子注入形成N型漏極漂移區，同時對位于N型漏極漂移區下方的預制P型隔離結構進行第二次離子注入，形成N型漏極漂移區與N型埋層之間的P型隔離結構，并在P型漏極漂移區內形成P型阱區，以及在N型漏極漂移區內形成N型阱區的步驟順序依次包括：

首先，采用NGRD光罩對外延層進行光刻和離子注入形成N型漏極漂移區；

其次，對位于N型漏極漂移區下方的預制P型隔離結構進行第二次離子注入，形成N型漏極漂移區與N型埋層之間的P型隔離結構；

再次，采用PGRD光罩對外延層進行光刻和離子注入形成P型漏極漂移區；

最后，在P型漏極漂移區內形成P型阱區，以及在N型漏極漂移區內形成N型阱區。

3.如權利要求1所述的全隔離型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述采用PGRD光罩對外延層進行光刻和離子注入形成P型漏極漂移區，采用NGRD光罩對外延層進行光刻和離子注入形成N型漏極漂移區，同時對位于N型漏極漂移區下方的預制P型隔離結構進行第二次離子注入，形成N型漏極漂移區與N型埋層之間的P型隔離結構，并在P型漏極漂移區內形成P型阱區，以及在N型漏極漂移區內形成N型阱區的步驟順序依次包括：

首先，采用PGRD光罩對外延層進行光刻和離子注入形成P型漏極漂移區；

其次，采用NGRD光罩對外延層進行光刻和離子注入形成N型漏極漂移區；

再次，對位于N型漏極漂移區下方的預制P型隔離結構進行第二次離子注入，形成N型漏極漂移區與N型埋層之間的P型隔離結構；

最后，在P型漏極漂移區內形成P型阱區，以及在N型漏極漂移區內形成N型阱區。

4.如權利要求1所述的全隔離型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述采用PGRD光罩對外延層進行光刻和離子注入形成P型漏極漂移區，采用NGRD光罩對外延層進行光刻和離子注入形成N型漏極漂移區，同時對位于N型漏極漂移區下方的預制P型隔離結構進行第二次離子注入，形成N型漏極漂移區與N型埋層之間的P型隔離結構，并在P型漏極漂移區內形成P型阱區，以及在N型漏極漂移區內形成N型阱區的步驟順序依次包括：

首先，采用NGRD光罩對外延層進行光刻和離子注入形成N型漏極漂移區；

其次，對N型漏極漂移區下方的預制P型隔離結構進行第二次離子注入，形成N型漏極漂移區與N型埋層之間的P型隔離結構；

再次，在N型漏極漂移區內形成N型阱區；

然后，采用PGRD光罩對外延層進行光刻和離子注入形成P型漏極漂移區；

最后，在P型漏極漂移區內形成P型阱區。