[發明專利]對功率金屬化層圖案化的方法和用于處理電子裝置的方法

在審

• 申請號: 201810586123.6
• 申請日: 2018-06-08
• 公開（公告）號: CN109037056A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: P.菲舍爾;J.施拉明格;M.C.韋爾克爾;P.措恩
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;申屠偉進

本發明公開了對功率金屬化層圖案化的方法和用于處理電子裝置的方法。根據各種實施例，一種用于處理電子裝置的方法（100）可以包括：在功率金屬化層（202）之上形成圖案化的硬掩模層（206p），該圖案化的硬掩模層（206p）暴露該功率金屬化層（202）的至少一個表面區（202s）；以及通過濕法蝕刻（220）所暴露的該功率金屬化層（202）的至少一個表面區（202s）來對該功率金屬化層（202）進行圖案化。

技術領域

各種實施例一般涉及一種用于對功率金屬化層進行圖案化的方法、一種電子裝置和一種用于處理電子裝置的方法。

背景技術

一般地，可以以半導體技術來處理半導體襯底、半導體晶片或任何其他適合類型的載體以形成集成電路或基于至少一個集成電路結構的半導體裝置。半導體晶片可以用于在晶片的表面處理多個集成電路，并且在處理之后，可以對晶片進行劃片以從晶片提供多個管芯或芯片。最終，被從晶片單片化的管芯或芯片（所謂的裸管芯或裸芯片）可以在封裝工藝中被封裝，其中管芯或芯片可以被包裝在支持材料中或者外殼中以防止例如物理損害和/或侵蝕。外殼（也稱為封裝或容器）也可以支持用來將裝置連接至例如電路板的電連接。典型地，管芯或芯片包括用于控制或操作集成電路的金屬化。集成電路結構的端子（例如，場效應晶體管的源極端子、漏極端子和/或柵極端子，或者雙極型晶體管的發射極端子、集電極端子和/或基極端子，或者二極管的兩個端子）可以通過金屬化接觸以控制或操作集成電路結構。金屬化可以包括前側金屬化和/或背側金屬化。進一步地，金屬化可以包括圖案化的金屬或圖案化的金屬材料（例如，以銅技術或以鋁技術提供），其可以提供一個或多個電接觸（接觸襯墊）和布線。進一步地，金屬化可以電接觸單個集成電路結構（例如，晶閘管、晶體管或二極管）。替換地，金屬化可以電接觸芯片的多個集成電路結構（例如，多個晶閘管、多個晶體管或多個二極管），其中由于特定布線結構，金屬化可以支持或可以提供芯片的功能性。

發明內容

根據各種實施例，一種用于處理電子裝置的方法可以包括：在功率金屬化層之上形成圖案化的硬掩模層，所述圖案化的硬掩模層暴露所述功率金屬化層的至少一個表面區；以及通過濕法蝕刻所暴露的該功率金屬化層的至少一個表面區來對該功率金屬化層進行圖案化。

附圖說明

在繪圖中，貫穿不同的視圖，相似的參考字符一般是指相同的部分。繪圖未必是按比例的，重點反而一般被放在圖示本發明的原理上。在以下描述中，參考以下繪圖描述了本發明的各種實施例，在所述繪圖中：

圖1示出根據各種實施例的用于處理電子裝置的方法的示意性流程圖；

圖2A和2B示出根據各種實施例的在處理期間在各種示意性視圖中的電子裝置；

圖3A和3B示出根據各種實施例的在處理期間在各種示意性視圖中的電子裝置；

圖4示出根據各種實施例的電子裝置的示意性詳細視圖；

圖5A至5C示出根據各種實施例的在處理期間在各種示意性視圖中的電子裝置；

圖6示出根據各種實施例的用于處理電子裝置的方法的示意性流程圖；

圖7示出根據各種實施例的在處理期間的電子裝置的示意性視圖；以及

圖8示出根據各種實施例的電子裝置的示意性視圖。

具體實施方式

下面的詳細描述參考附圖，所述附圖通過圖示的方式示出在其中可以實踐本發明的特定細節和實施例。充分詳細地描述了這些實施例以使得本領域技術人員能夠實踐本發明。在不脫離發明的范圍的情況下，可以利用其他實施例并且可以做出結構、邏輯和電改變。各種實施例未必相互排斥，因為一些實施例可以與一個或多個其他實施例組合以形成新的實施例。結合方法描述了各種實施例，并且結合裝置描述了各種實施例。然而，可以理解的是，結合方法描述的實施例可以相似地應用于裝置，并且反之亦然。