[發明專利]對功率金屬化層圖案化的方法和用于處理電子裝置的方法

在審

• 申請號: 201810586123.6
• 申請日: 2018-06-08
• 公開（公告）號: CN109037056A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: P.菲舍爾;J.施拉明格;M.C.韋爾克爾;P.措恩
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;申屠偉進

1.一種用于處理電子裝置的方法（100），該方法包括：

在銅功率金屬化層（202）之上形成圖案化的硬掩模層（206p），該圖案化的硬掩模層（206p）暴露該銅功率金屬化層（202）的至少一個表面區（202s）；以及

通過濕法蝕刻（220）所暴露的該銅功率金屬化層（202）的至少一個表面區（202s)來對該銅功率金屬化層（202）進行圖案化。

2.根據權利要求1所述的方法，

其中，形成圖案化的硬掩模層（206p）包括形成以下層的組中的至少一個層：

圖案化的金屬層、

圖案化的氮化物層、

圖案化的氧化物層、

圖案化的氮氧化物層。

3.根據權利要求1所述的方法，

其中，形成圖案化的硬掩模層（206p）包括形成具有小于15 nm的厚度（206d）的圖案化的氧化鋁層。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的方法，進一步包括：

在對該功率金屬化層（202）進行圖案化之后至少部分地去除該圖案化的硬掩模層（206p）。

5.根據權利要求1至4中的任一項所述的方法，

其中，形成該圖案化的硬掩模層（206p）包括：

在該銅功率金屬化層（202）之上形成硬掩模層（206）；

在該硬掩模層（206）之上形成圖案化的抗蝕劑掩模層（306p），該圖案化的抗蝕劑掩模層（306p）暴露該硬掩模層（206）的至少一個表面區（206s）；以及

去除所暴露的該硬掩模層（206）的至少一個表面區（206s）以暴露該銅功率金屬化層（202）的至少一個表面區（202s）。

6.根據權利要求5所述的方法，

其中，在對該銅功率金屬化層（202）進行圖案化期間，該圖案化的抗蝕劑掩模層（306p）覆蓋該圖案化的硬掩模層（206p）。

7.根據權利要求5或6所述的方法，

其中，去除所暴露的該硬掩模層（206）的至少一個表面區（206s）包括濕法蝕刻（320）。

8.根據權利要求1至7中的任一項所述的方法，

其中，該銅功率金屬化層（202）具有大于5 μm的厚度（202d）。

9.根據權利要求1至8中的任一項所述的方法，

其中，對該銅功率金屬化層（202）進行圖案化包括暴露至少一個側壁（402w），該至少一個側壁（402w）具有大于60°的坡度（402a）。

10.根據權利要求1至9中的任一項所述的方法，

其中，該銅功率金屬化層（202）被設置在阻擋層（502）之上，并且其中，在對該銅功率金屬化層（202）進行圖案化期間暴露該阻擋層（502）的至少一個表面區（502s）。

11.根據權利要求10所述的方法，

其中，該阻擋層（502）包括鈦和/或鎢。

12.根據權利要求10或11所述的方法，還包括：

去除所暴露的該阻擋層（502）的至少一個表面區（502s）。

13.根據權利要求12所述的方法，

其中，去除所暴露的該阻擋層（502）的至少一個表面區（502s）包括濕法蝕刻（520）。