[發明專利]蝕刻和由此形成的結構

有效

• 申請號: 201810584616.6
• 申請日: 2018-06-08
• 公開（公告）號: CN109786236B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 黃冠維;陳育裕;林嘉男
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/308
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本文描述的實施例涉及用于蝕刻結構的方法和由此形成的結構。在一些實施例中，增加材料的第一部分和材料的第二部分之間的蝕刻選擇性。增加蝕刻選擇性包括對材料實施諸如各向異性離子注入的各向異性處理以處理材料的第一部分，并且在各向異性處理之后，材料的第二部分保持未被處理。在增加蝕刻選擇性之后，蝕刻材料的第一部分。該蝕刻可以是濕蝕刻或干蝕刻，并且還可以是各向同性的或各向異性的。本發明的實施例還涉及蝕刻和由此形成的結構。

技術領域

本發明的實施例涉及蝕刻和由此形成的結構。

背景技術

雙重圖案化是開發用于光刻以增強集成電路中的部件密度的技術。通常，光刻技術用于在晶圓上形成集成電路的部件。光刻技術涉及施加光刻膠并且在光刻膠中限定圖案。首先在光刻掩模中限定光刻膠中的圖案，并且通過光刻掩模的透明部分或者不透明部分來實現。通過使用光刻掩模的曝光將光刻掩模中的圖案轉移至光刻膠，隨后是光刻膠的顯影。之后，將圖案化的光刻膠中的圖案轉移至形成在晶圓上的制造的部件。

已經創建了各個技術來實現雙重或多重圖案化。一種技術是光刻-蝕刻-光刻-蝕刻(LELE)技術。在LELE技術中，通常將圖案分成多個部分，以使用多個相應的光刻和隨后的蝕刻步驟來實施。另一種技術是自對準技術。在自對準技術中，通常通過形成芯軸以及在芯軸的側壁上形成間隔件來形成圖案，其中，間隔件是要形成在下面的襯底中的圖案。在這些技術中，目標是減小相鄰部件之間的寬度，從而增加密度。

發明內容

本發明的實施例提供了一種蝕刻方法，包括：增加材料的第一部分和所述材料的第二部分之間的蝕刻選擇性，增加蝕刻選擇性包括對材料實施各向異性處理以處理所述材料的第一部分，并且在所述各向異性處理之后，所述材料的第二部分保持未被處理；以及在增加所述蝕刻選擇性之后，蝕刻所述材料的第一部分。

本發明的另一實施例提供了一種蝕刻方法，包括：將離子各向異性注入至材料的第一部分，其中，在所述各向異性注入期間，所述材料的第二部分未注入有離子；以及蝕刻注入有離子的所述材料的第一部分，其中，所述蝕刻使用對注入有離子的所述材料的第一部分具有第一蝕刻速率和對所述材料的第二部分具有第二蝕刻速率的蝕刻劑，所述第一蝕刻速率大于所述第二蝕刻速率。

本發明的又一實施例提供了一種蝕刻方法，包括：沿著芯軸共形地形成間隔件層，所述間隔件層的第一水平部分位于所述芯軸上方，所述間隔件層的間隔件部分沿著所述芯軸的側壁，并且所述間隔件層的第二水平部分從所述芯軸橫向設置；將離子注入至所述第一水平部分和所述第二水平部分；以及用蝕刻劑蝕刻包括注入的離子的所述第一水平部分和所述第二水平部分，所述蝕刻劑用比所述間隔件部分更大的速率蝕刻所述第一水平部分和所述第二水平部分。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1至圖14是根據一些實施例的用于使用自對準雙重圖案化技術在介電層中形成導電部件的示例性方法期間的相應的中間結構的截面圖。

圖15至圖22是根據一些實施例的在用于圖案化結構的示例性方法期間的相應的中間結構的截面圖。

具體實施方式

以下公開內容提供了許多用于實現所提供主題的不同特征的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然，這些僅僅是實例，而不旨在限制本發明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發明可在各個實施例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。