[發明專利]蝕刻和由此形成的結構

有效

• 申請號: 201810584616.6
• 申請日: 2018-06-08
• 公開（公告）號: CN109786236B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 黃冠維;陳育裕;林嘉男
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/308
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種蝕刻方法，包括：

在襯底上方形成第一結構，所述第一結構具有擴張下側壁；

在所述第一結構上方形成材料；

增加所述材料的第一部分和所述材料的第二部分之間的蝕刻選擇性，增加蝕刻選擇性包括對材料實施各向異性處理以處理所述材料的第一部分，并且在所述各向異性處理之后，所述材料的第二部分保持未被處理；

在增加所述蝕刻選擇性之后，蝕刻所述材料的第一部分；以及

在蝕刻所述材料的所述第一部分之后，去除所述第一結構的至少部分以暴露所述襯底，其中，在去除所述第一結構的所述部分以暴露所述襯底之后，所述擴張下側壁的部分被保留。

2.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其中，所述各向異性處理是各向異性離子注入。

3.根據權利要求2所述的蝕刻方法，其中，所述各向異性離子注入注入氦(He)、氫(H₂)或它們的組合。

4.根據權利要求2所述的蝕刻方法，其中，所述各向異性離子注入使用具有2MHz的頻率并且具有大于或等于50W的功率的等離子體發生器。

5.根據權利要求2所述的蝕刻方法，其中，所述各向異性離子注入使用具有13.56MHz的頻率并且具有大于或等于300W的功率的等離子體發生器。

6.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其中，所述蝕刻是各向同性蝕刻。

7.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其中，所述蝕刻是各向異性蝕刻。

8.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其中，所述蝕刻是濕蝕刻。

9.根據權利要求8所述的蝕刻方法，其中，所述濕蝕刻使用包括稀釋的氫氟(dHF)酸的蝕刻劑。

10.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其中，所述蝕刻是干蝕刻。

11.根據權利要求10所述的蝕刻方法，其中，所述干蝕刻使用包括氯氣(Cl₂)和CH₄的蝕刻劑。

12.根據權利要求10所述的蝕刻方法，其中，所述干蝕刻使用包括溴化氫(HBr)的蝕刻劑。

13.一種蝕刻方法，包括：

在襯底上形成結構；

在所述結構和所述襯底上形成材料；

將離子各向異性注入至所述材料的第一部分，其中，在所述離子各向異性注入期間，所述材料的第二部分未注入有離子；

蝕刻注入有離子的所述材料的第一部分，其中，所述蝕刻使用對注入有離子的所述材料的第一部分具有第一蝕刻速率和對所述材料的第二部分具有第二蝕刻速率的蝕刻劑，所述第一蝕刻速率大于所述第二蝕刻速率，其中，蝕刻所述第一部分暴露所述結構；

通過去除所述結構的至少第一部分來暴露所述襯底的一部分，其中，所述結構的第二部分被保留。

14.根據權利要求13所述的蝕刻方法，其中，所述第一蝕刻速率比所述第二蝕刻速率大至少五倍。

15.根據權利要求13所述的蝕刻方法，還包括，重復實施所述各向異性注入和所述蝕刻。

16.根據權利要求13所述的蝕刻方法，其中，所述材料的第一部分具有水平分量的表面，其中，在所述各向異性注入期間，穿過具有所述水平分量的表面各向異性注入離子。