[發(fā)明專利]晶圓保持銷及其使用方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810584605.8 | 申請日: | 2018-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN109860074A | 公開(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳嘉倫;洪明松;施博仁;許文鴻 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 襯底臺 化學(xué)溶液 晶圓 錐形側(cè)表面 運動機構(gòu) 上表面 配置 開口 流出 擴散 分配 | ||
一種裝置包括:襯底臺,配置為將襯底固定在其上;以及運動機構(gòu),配置為旋轉(zhuǎn)襯底臺。襯底臺包括用于保持襯底的邊緣的多個保持銷。旋轉(zhuǎn)襯底臺使得分配在襯底的上表面上的化學(xué)溶液朝著襯底的邊緣向外擴散。多個保持銷中的至少一個包括至少一個開口或至少一個錐形側(cè)表面或兩者,用于引導(dǎo)化學(xué)溶液從襯底流出。本發(fā)明的實施例還涉及晶圓保持銷及其使用方法。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實施例涉及晶圓保持銷及其使用方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)增長。IC材料和設(shè)計中的技術(shù)進步已經(jīng)產(chǎn)生了多代IC,每一代都比前一代更小和更復(fù)雜的電路。在IC演進的過程中,功能密度(即,每芯片面積的互連器件的數(shù)量)通常已經(jīng)增加,而幾何尺寸(即,可以使用制造工藝產(chǎn)生的最小組件)已經(jīng)減小。這種按比例縮小工藝通常通過提高生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本來提供益處。
然而,這種按比例縮小也增加了處理和制造IC的復(fù)雜性。例如,按比例縮小工藝對清潔晶圓表面提出了更高的要求,這構(gòu)成了IC制造工藝的重要部分。當(dāng)使用化學(xué)物清潔晶圓表面時,化學(xué)殘留物的痕跡可能殘留在晶圓表面上。化學(xué)殘留物可能延長干燥時間、引起缺陷和/或?qū)е卤砻娣e利用率低。隨著按比例縮小對表面積利用率的要求越來越高,化學(xué)殘留物的問題變得更加突出。現(xiàn)有的半導(dǎo)體清潔設(shè)備和方法似乎并沒有令人滿意地解決這個問題。因此,需要更有效的清潔系統(tǒng)和方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供了一種晶圓清潔裝置,包括:襯底臺,配置為將襯底固定在所述襯底臺上,所述襯底臺包括用于保持所述襯底的邊緣的多個保持銷;以及運動機構(gòu),配置為旋轉(zhuǎn)所述襯底臺,其中,所述多個保持銷中的至少一個包括至少一個開口或至少一個錐形側(cè)表面或至少一個開口和至少一個錐形側(cè)表面兩者,用于引導(dǎo)散布在所述襯底的上表面上的化學(xué)溶液從所述襯底流出。
本發(fā)明的另一實施例提供了一種晶圓清潔系統(tǒng),包括:晶圓卡盤,配置為將硅晶圓固定在所述晶圓卡盤上,所述晶圓卡盤包括分布在其上的多個晶圓夾持器,所述晶圓夾持器的每個包括配置成接觸所述硅晶圓的外邊緣的凹槽區(qū);液體分配器,配置為將清潔液分配到所述硅晶圓的上表面上;以及旋轉(zhuǎn)機構(gòu),配置成通過旋轉(zhuǎn)所述晶圓卡盤從所述硅晶圓向外散布所述清潔液,其中,每個所述晶圓夾持器上的所述凹槽區(qū)包括至少一個排放孔,用于允許所述清潔液從所述硅晶圓的外邊緣流出并通過所述晶圓夾持器。
本發(fā)明的又一實施例提供了一種用于清潔晶圓的方法,包括:將晶圓固定在晶圓卡盤上,所述晶圓卡盤包括分布在其上的多個保持銷,每個所述保持銷包括與所述晶圓的外邊緣接觸的凹槽區(qū),所述凹槽區(qū)包括延伸穿過所述保持銷的一個或多個孔;將清潔液分配到所述晶圓的上表面上;以及旋轉(zhuǎn)所述晶圓以從所述晶圓的內(nèi)部區(qū)域朝向所述晶圓的外邊緣驅(qū)動所述清潔液,離開所述晶圓的外邊緣,通過每個所述保持銷上的所述一個或多個孔,并且最終從每個所述保持銷離開。
附圖說明
當(dāng)結(jié)合附圖進行閱讀時,從以下詳細(xì)描述可最佳理解本發(fā)明的各方面。應(yīng)該注意,根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實踐,各個部件未按比例繪制。實際上,為了清楚的討論,各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的方面的半導(dǎo)體清潔系統(tǒng)的實施例的示意圖。
圖2A是根據(jù)實施例的分布在襯底臺上的多個保持銷的平面圖。
圖2B是根據(jù)實施例的操作中的保持銷的示意圖。
圖3A是保持銷的實施例的立體圖。
圖3B是圖3A中的保持銷的平面圖。
圖3C是保持銷的另一實施例的立體圖。
圖3D是化學(xué)物排放機構(gòu)的實施例的簡化框圖
圖3E是化學(xué)物排放機構(gòu)的另一實施例的簡化框圖。
圖4A是具有單個開口的保持銷的另一實施例的截面圖(在垂直方向上)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





