[發明專利]晶圓保持銷及其使用方法在審
| 申請號: | 201810584605.8 | 申請日: | 2018-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN109860074A | 公開(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發明(設計)人: | 陳嘉倫;洪明松;施博仁;許文鴻 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 襯底臺 化學溶液 晶圓 錐形側表面 運動機構 上表面 配置 開口 流出 擴散 分配 | ||
1.一種晶圓清潔裝置,包括:
襯底臺,配置為將襯底固定在所述襯底臺上,所述襯底臺包括用于保持所述襯底的邊緣的多個保持銷;以及
運動機構,配置為旋轉所述襯底臺,
其中,所述多個保持銷中的至少一個包括至少一個開口或至少一個錐形側表面或至少一個開口和至少一個錐形側表面兩者,用于引導散布在所述襯底的上表面上的化學溶液從所述襯底流出。
2.根據權利要求1所述的晶圓清潔裝置,其中,所述多個保持銷中的每一個包括至少一個開口。
3.根據權利要求2所述的晶圓清潔裝置,其中,存在于第一保持銷上的所述至少一個開口包括第一開口,其中,所述第一開口具有前端和后端,并且其中,所述第一開口的前端引導所述化學溶液從所述襯底的邊緣朝向所述第一開口的后端流動,并且其中,所述第一開口的前端部分地設置在所述襯底之上。
4.根據權利要求3所述的晶圓清潔裝置,其中,所述第一開口的前端位于所述第一保持銷的前表面上并且在平面圖中具有第一寬度,其中,所述前表面在平面圖中具有第二寬度,并且其中,所述第一寬度不小于所述第二寬度的10%。
5.根據權利要求4所述的晶圓清潔裝置,其中,所述第一寬度不大于所述第二寬度的50%。
6.根據權利要求3所述的晶圓清潔裝置,其中,所述第一開口的前端的高度等于或大于所述襯底的厚度。
7.根據權利要求6所述的晶圓清潔裝置,其中,所述第一開口的前端是直徑大于所述襯底的厚度的1.5倍的圓。
8.根據權利要求3所述的晶圓清潔裝置,其中,所述第一開口在所述第一保持銷上傾斜,使得所述第一開口的前端位于所述第一開口的后端之上。
9.一種晶圓清潔系統,包括:
晶圓卡盤,配置為將硅晶圓固定在所述晶圓卡盤上,所述晶圓卡盤包括分布在其上的多個晶圓夾持器,所述晶圓夾持器的每個包括配置成接觸所述硅晶圓的外邊緣的凹槽區;
液體分配器,配置為將清潔液分配到所述硅晶圓的上表面上;以及
旋轉機構,配置成通過旋轉所述晶圓卡盤從所述硅晶圓向外散布所述清潔液,
其中,每個所述晶圓夾持器上的所述凹槽區包括至少一個排放孔,用于允許所述清潔液從所述硅晶圓的外邊緣流出并通過所述晶圓夾持器。
10.一種用于清潔晶圓的方法,包括:
將晶圓固定在晶圓卡盤上,所述晶圓卡盤包括分布在其上的多個保持銷,每個所述保持銷包括與所述晶圓的外邊緣接觸的凹槽區,所述凹槽區包括延伸穿過所述保持銷的一個或多個孔;
將清潔液分配到所述晶圓的上表面上;以及
旋轉所述晶圓以從所述晶圓的內部區域朝向所述晶圓的外邊緣驅動所述清潔液,離開所述晶圓的外邊緣,通過每個所述保持銷上的所述一個或多個孔,并且最終從每個所述保持銷離開。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





