[發(fā)明專利]柔性基底、顯示基板母板的切割方法、顯示基板、裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810581210.2 | 申請日: | 2018-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN108777251B | 公開(公告)日: | 2021-09-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 來春榮;張文強;張湖;趙旭;熊正平 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;綿陽京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權代理有限公司 11243 | 代理人: | 劉偉;張博 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 基底 顯示 母板 切割 方法 裝置 | ||
本發(fā)明提供了一種柔性基底、顯示基板母板的切割方法、顯示基板、裝置,屬于顯示技術領域。其中,柔性基底的切割方法中,在沿著預設切割路徑對所述柔性基底進行激光切割之前,在所述預設切割路徑上形成多個間隔排布的孔。通過本發(fā)明的技術方案能夠提高顯示產(chǎn)品的良率。
技術領域
本發(fā)明涉及顯示技術領域,特別是指一種柔性基底、顯示基板母板的切割方法、顯示基板、裝置。
背景技術
現(xiàn)有的柔性顯示基板母板包括柔性基底和設置在柔性基底上陣列排布的多個有機發(fā)光器件,在對柔性顯示基板母板進行切割時,是對有機發(fā)光器件之間的柔性基底進行切割,一般是采用激光切割,在進行切割時,激光沿直線持續(xù)行進,該過程中柔性基底中的無機層應力無處釋放,容易導致無機層膜層斷裂,當裂紋較重時會延伸至相鄰的有機薄膜,甚至延伸至有機發(fā)光器件,這樣水汽將通過裂紋進入有機發(fā)光器件使得像素失效,導致顯示產(chǎn)品出現(xiàn)不良。
發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種柔性基底、顯示基板母板的切割方法、顯示基板、裝置,能夠提高顯示產(chǎn)品的良率。
為解決上述技術問題,本發(fā)明的實施例提供技術方案如下:
一方面,提供一種柔性基底的切割方法,在沿著預設切割路徑對所述柔性基底進行激光切割之前,在所述預設切割路徑上形成多個間隔排布的孔。
進一步地,相鄰孔之間的間距均相等。
進一步地,所述在所述預設切割路徑上形成多個間隔排布的孔包括:
步驟a:將關閉的激光發(fā)生器移動到預設位置,打開所述激光發(fā)生器,使得所述激光發(fā)生器發(fā)射激光在所述預設位置形成孔;
步驟b:關閉所述激光發(fā)生器;
重復上述步驟a-b,直至在所有預設位置處形成孔。
進一步地,所述在所述預設切割路徑上形成多個間隔排布的孔包括:
以大于預設閾值的速度移動激光發(fā)生器;
在所述激光發(fā)生器移動至預設位置時,控制所述激光發(fā)生器在所述預設位置停留預設時間段,使得所述激光發(fā)生器發(fā)射的激光在所述預設位置形成孔。
進一步地,所述柔性基底包括多層交替層疊設置的無機層和有機層。
進一步地,所述有機層為聚酰亞胺薄膜。
進一步地,所述柔性基底依次包括:
第一有機層;
第一無機層;
第二有機層;
第二無機層。
本發(fā)明實施例還提供了一種柔性顯示基板母板的切割方法,所述柔性顯示基板母板包括柔性基底和位于柔性基底上陣列排布的多個有機發(fā)光器件,利用如上所述的柔性基底的切割方法對相鄰有機發(fā)光器件之間的柔性基底進行切割。
本發(fā)明實施例還提供了一種柔性顯示基板,為利用如上所述的柔性顯示基板母板的切割方法對柔性顯示基板母板進行切割后得到。
本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置,包括如上所述的柔性顯示基板。
本發(fā)明的實施例具有以下有益效果:
上述方案中,在沿著預設切割路徑對柔性基底進行激光切割之前,在預設切割路徑上形成多個間隔排布的孔,這樣在沿著預設切割路徑對柔性基底進行切割時,產(chǎn)生的應力可以通過預先形成的孔釋放,從而有效避免切割導致的裂紋,能夠提高顯示產(chǎn)品的良率。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術對柔性顯示基板母板進行切割的示意圖;
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





