[發(fā)明專利]靜電卡盤和工藝腔室有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810579971.4 | 申請日: | 2018-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN110581099B | 公開(公告)日: | 2022-06-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 郭士選;李一成 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H05F3/02 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 靜電 卡盤 工藝 | ||
1.一種靜電卡盤,其特征在于,包括基座、接口盤和能夠?qū)щ姷闹谓M件;其中,
所述基座包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面,所述第一表面用于承載晶圓,所述第二表面連接所述接口盤;
所述支撐組件包括相連接的頂針結(jié)構(gòu)和驅(qū)動結(jié)構(gòu),所述頂針結(jié)構(gòu)可移動地穿設(shè)在所述基座中,至少部分所述驅(qū)動結(jié)構(gòu)固定在所述接口盤中;
所述接口盤通過電荷釋放組件選擇性地與接地端電連接,當(dāng)所述頂針結(jié)構(gòu)升起并與所述晶圓接觸時,所述接口盤能將所述晶圓和所述基座上的殘余電荷釋放到所述接地端;
所述驅(qū)動結(jié)構(gòu)包括:
固定件,其設(shè)置有內(nèi)螺紋;
導(dǎo)桿,其穿設(shè)在所述固定件中,所述導(dǎo)桿設(shè)置有與所述內(nèi)螺紋相匹配的外螺紋,以沿所述固定件移動;
安裝法蘭,其固定于所述固定件的一端,并與所述接口盤電連接;
所述頂針結(jié)構(gòu)穿過所述安裝法蘭至與所述導(dǎo)桿的一端固定連接;
導(dǎo)電環(huán),其位于所述安裝法蘭和所述接口盤之間,以使得所述安裝法蘭和所述接口盤電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電卡盤,其特征在于,所述頂針結(jié)構(gòu)包括頂針和彈性件,所述彈性件位于所述頂針的朝向所述晶圓的一側(cè),并與所述頂針連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電卡盤,其特征在于,所述驅(qū)動結(jié)構(gòu)還包括:
固定套筒,固定于所述安裝法蘭內(nèi),且所述固定套筒的內(nèi)徑在朝向所述導(dǎo)桿的一側(cè)小于背離所述導(dǎo)桿的一側(cè);
夾持套筒,套設(shè)在所述頂針結(jié)構(gòu)的外部;并且,
當(dāng)所述導(dǎo)桿帶動所述頂針結(jié)構(gòu)朝向所述晶圓的方向移動時,所述夾持套筒能夠與所述固定套筒抵接,以固定住所述頂針結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電卡盤,其特征在于,還包括:
射頻電極,其穿設(shè)在所述基座和所述接口盤中,所述電荷釋放組件串聯(lián)于所述射頻電極和所述接地端之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的靜電卡盤,其特征在于,所述電荷釋放組件包括第一導(dǎo)電件、開關(guān)、電阻和第二導(dǎo)電件:
所述開關(guān)和所述電阻位于所述第一導(dǎo)電件和所述第二導(dǎo)電件之間;并且,
所述第一導(dǎo)電件兩端分別電連接所述開關(guān)和所述射頻電極;
所述第二導(dǎo)電件兩端分別電連接所述電阻和所述接地端。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任意一項所述的靜電卡盤,其特征在于,所述頂針的制作材料為無磁或預(yù)定的弱磁導(dǎo)電材料,和/或,
所述頂針的制作材料包括記憶合金、不銹鋼和哈氏合金中的任意一種。
7.一種工藝腔室,其特征在于,包括權(quán)利要求1至6中任意一項所述的靜電卡盤。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的工藝腔室,其特征在于,還包括:
腔室本體,所述腔室本體形成所述接地端,所述接口盤選擇性地與所述腔室本體電連接,并且所述腔室本體直接接地。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





