[發明專利]一種Y柵晶體管器件制造方法及晶體管器件

有效

• 申請號: 201810577762.6
• 申請日: 2018-06-05
• 公開（公告）號: CN108922850B
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發明（設計）人: 吳淑芳;許孟凱;陳智廣;陳勝男;林偉銘;林張鴻;林豪;詹智梅
• 申請（專利權）人: 福建省福聯集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 林祥翔;徐劍兵

本發明公開一種Y柵晶體管器件制造方法及晶體管器件，包括步驟：在具有第一金屬層、Y柵金屬、第一氮化物層和第二氮化物層的外延片的上涂覆聚合物層；在聚合物層上曝光顯影以在漏極金屬、源極金屬和Y柵頂部位置處形成開口；蝕刻去除漏極金屬、源極金屬的第二氮化物層和Y柵位置處的第一氮化物層和第二氮化物層。上述技術方案通過在具有Y柵金屬的外延片上涂覆聚合物層，并在漏極金屬、源極金屬和Y柵頂部位置處進行開口，在進行金屬蒸鍍的時候，則會在漏極金屬、源極金屬的第一金屬層頂部和Y柵頂部位置同時蒸鍍上金屬層，減少了制作工藝的步驟流程，不僅提高了效率，也降低了成本。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種Y柵晶體管器件制造方法及晶體管器件。

背景技術

本發明改進前的Y柵晶體管器件的生產過程如圖1所示，一般要經歷如下工藝：外延片表面處理與器件源極/漏極金屬化工藝——Y柵底部光刻工藝——Y柵頂部光刻工藝——Y柵金屬化沉積工藝——第一鈍化層氮化物沉積工藝——第一金屬層沉積工藝——第二鈍化層氮化物沉積工藝——聚合物鈍化平坦層工藝——第二金屬層沉積工藝——第三鈍化層氮化物沉積工藝等。為了提升Y柵處的導電性，由于Y柵長度固定，則需要增大Y柵的橫截面積，此時還需要在第一金屬層沉積工藝后增加一步Y柵金屬舉高的步驟，即在Y柵上進行再次的金屬沉積，此時就會多增加一道Y柵金屬舉高沉積工藝。每道工藝又包含有多個處理過程，如表面清洗、曝光顯影、金屬化或者蝕刻沉積等。這樣，制作增高的Y柵晶體管器件需要經歷較多的工藝步驟。

發明內容

為此，需要提供一種Y柵晶體管器件制造方法及晶體管器件，解決現有Y柵半導體制作步驟較多的問題。

為實現上述目的，發明人提供了一種Y柵晶體管器件制造方法，包括如下步驟：

在具有第一金屬層、Y柵金屬、第一氮化物層和第二氮化物層的外延片的上涂覆第一光刻膠；

在第一光刻膠上曝光顯影以在漏極金屬、源極金屬和Y柵頂部位置處形成開口；

蝕刻去除漏極金屬、源極金屬的第二氮化物層和Y柵位置處的第一氮化物層和第二氮化物層；

涂覆聚合物；

在聚合物上曝光顯影以在漏極金屬、源極金屬和Y柵頂部位置處形成開口；

涂覆第二光刻膠；

在第二光刻膠上曝光顯影以在漏極金屬、源極金屬和Y柵頂部位置處形成開口；

進行金屬蒸鍍沉積，在Y柵頂部位置形成Y柵舉高金屬，在漏極金屬、源極金屬位置形成第二金屬層；

蝕刻去除第二光刻膠。

進一步地，還包括步驟：沉積第三氮化物層，并在第三氮化物層上蝕刻露出第二金屬層頂部位置。

進一步地，所述外延片包括有依次堆疊的半導體材料襯底層、場效應晶體管器件結構層。

進一步地，所述第二光刻膠為負性光刻膠。

以及本發明還提供一種Y柵晶體管器件，所述晶體管器件由上述任意一項的一種Y柵晶體管器件制造方法制得。

進一步地，所述Y柵舉高金屬高度與在漏極金屬、源極金屬處第二金屬層高度相同。

區別于現有技術，上述技術方案通過在具有Y柵金屬的外延片上涂覆第一光刻膠，并在漏極金屬、源極金屬和Y柵頂部位置處進行開口，在進行金屬蒸鍍的時候，則會在漏極金屬、源極金屬的第一金屬層頂部和Y柵頂部位置同時蒸鍍上金屬層，蒸鍍金屬層可以為兩次蒸鍍，則形成了第二金屬層，也大大加大了Y上的橫截面積，這樣就一次實現了現有技術中的“Y柵舉高金屬化沉積工藝”“第二金屬層沉積工藝”的金屬層蒸鍍，減少了制作工藝的步驟流程，不僅提高了效率，也降低了成本。

附圖說明