[發明專利]一種Y柵晶體管器件制造方法及晶體管器件

有效

• 申請號: 201810577762.6
• 申請日: 2018-06-05
• 公開（公告）號: CN108922850B
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發明（設計）人: 吳淑芳;許孟凱;陳智廣;陳勝男;林偉銘;林張鴻;林豪;詹智梅
• 申請（專利權）人: 福建省福聯集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 林祥翔;徐劍兵

1.一種Y柵晶體管器件制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

在具有第一金屬層、Y柵金屬、第一氮化物層和第二氮化物層的外延片的上涂覆第一光刻膠，漏極金屬、源極金屬和Y柵金屬置于外延片上，Y柵金屬處在漏極金屬和源極金屬之間，第一氮化物層置于Y柵金屬、部分源極金屬和部分漏極金屬上，第二氮化物層置于第一氮化物層和第一金屬層上，第一層金屬層分別置于漏極金屬、源極金屬上；

在第一光刻膠上曝光顯影以在漏極金屬、源極金屬和Y柵頂部位置處形成開口；

蝕刻去除漏極金屬、源極金屬的第二氮化物層和Y柵位置處的第一氮化物層和第二氮化物層；

涂覆聚合物；

在聚合物上曝光顯影以在漏極金屬、源極金屬和Y柵頂部位置處形成開口；

涂覆第二光刻膠；

在第二光刻膠上曝光顯影以在漏極金屬、源極金屬和Y柵頂部位置處形成開口；

進行金屬蒸鍍沉積，在Y柵頂部位置形成Y柵舉高金屬，在漏極金屬、源極金屬位置形成第二金屬層；

蝕刻去除第二光刻膠。

2.根據權利要求1所述的一種Y柵晶體管器件制造方法，其特征在于，還包括步驟：沉積第三氮化物層，并在第三氮化物層上蝕刻露出第二金屬層頂部位置。

3.根據權利要求1到2任一項所述的一種Y柵晶體管器件制造方法，其特征在于：所述外延片包括有依次堆疊的半導體材料襯底層、場效應晶體管器件結構層。

4.根據權利要求1到2任一項所述的一種Y柵晶體管器件制造方法，其特征在于：所述第二光刻膠為負性光刻膠。

5.一種Y柵晶體管器件，其特征在于，所述晶體管器件由權利要求1到4任意一項的一種Y柵晶體管器件制造方法制得。

6.根據權利要求5所述的一種Y柵晶體管器件，其特征在于，所述Y柵舉高金屬高度與在漏極金屬、源極金屬處第二金屬層高度相同。