[發(fā)明專利]通過獨(dú)立控制TEOS流量的沉積徑向和邊緣輪廓可維持性

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810576218.X
• 申請(qǐng)日: 2018-06-06
• 公開（公告）號(hào): CN108998776B
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·巴錄佳;Y·楊;T·恩古耶;N·南塔瓦拉努;J·F·奧布充;T·A·恩古耶;K·嘉納基拉曼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): C23C16/455
• 分類號(hào): C23C16/455;C23C16/513
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 楊學(xué)春;侯穎媖

本公開涉及通過獨(dú)立控制TEOS流量的沉積徑向和邊緣輪廓可維持性。本公開披露了用于處理基板的串聯(lián)處理系統(tǒng)。至少一個(gè)處理腔室包括穿孔蓋、設(shè)置在穿孔蓋上的氣體阻滯器以及設(shè)置在穿孔蓋下方的基板支撐件。氣體阻滯器包括：氣體歧管、在氣體歧管中形成的中心氣體通道、設(shè)置在氣體歧管下方的第一氣體分配板、在氣體歧管中形成的第一和第二氣體通道、設(shè)置在第一氣體分配板下方的第二氣體分配板、設(shè)置在第二氣體分配板下方的第三氣體分配板、以及設(shè)置在第二氣體分配板和第三氣體分配板之間的多個(gè)直通通道。第二氣體分配板包括穿過第二氣體分配板的底部而形成的多個(gè)通孔、與中心氣體通道流體連通的中心開口以及在第二氣體分配板的頂表面中形成的凹陷區(qū)域。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的實(shí)施例總體上涉及用于控制在基板的邊緣附近的沉積的改進(jìn)的方法和裝置。

背景技術(shù)

通常采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)在諸如平板或半導(dǎo)體晶片之類的基板上沉積薄膜。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積通常通過將前體氣體引入包含基板的真空室中來完成。前體氣體通常被引導(dǎo)穿過設(shè)置在腔室頂部附近的分配板。通過從耦接至腔室的一個(gè)或多個(gè)RF源向所述腔室施加RF功率，所述腔室中的前體氣體被激勵(lì)(例如激發(fā))以形成等離子體。被激發(fā)的氣體反應(yīng)以在位于溫度受控的基板支撐件上的基板的表面上形成材料層。

已經(jīng)觀察到，腔室中前體氣體的分配可能導(dǎo)致橫跨基板表面的等離子體密度變化，從而造成在基板的中心和邊緣之間不同的沉積速率。因此，本領(lǐng)域需要一種改進(jìn)的具有更好的氣體分配控制的方法和裝置。

發(fā)明內(nèi)容

在一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種用于處理基板的處理腔室。所述處理腔室包括穿孔蓋、設(shè)置在所述穿孔蓋上的氣體阻滯器以及設(shè)置在所述穿孔蓋下方的基板支撐件。所述氣體阻滯器包括：氣體歧管；在所述氣體歧管中形成的中心氣體通道；設(shè)置在所述氣體歧管下方的第一氣體分配板，所述第一氣體分配板包括環(huán)繞所述中心氣體通道的內(nèi)溝槽和環(huán)繞所述內(nèi)溝槽的外溝槽；在所述氣體歧管中形成的第一氣體通道，所述第一氣體通道具有與第一氣體源流體連通的第一端和與所述內(nèi)溝槽流體連通的第二端；在所述氣體歧管中形成的第二氣體通道，所述第二氣體通道具有與所述第一氣體源流體連通的第一端和與所述外溝槽流體連通的第二端；設(shè)置在所述第一氣體分配板下方的第二氣體分配板；設(shè)置在所述第二氣體分配板下方的第三氣體分配板，所述第三氣體分配板包括穿過所述第三氣體分配板的底部而形成的多個(gè)通孔，并且所述第三氣體分配板接觸所述穿孔蓋的頂表面；以及設(shè)置在所述第二氣體分配板和所述第三氣體分配板之間的多個(gè)直通通道，并且每個(gè)直通通道延伸穿過所述穿孔蓋。所述第二氣體分配板包括穿過所述第二氣體分配板的底部而形成的多個(gè)通孔、與所述中心氣體通道流體連通的中心開口以及在所述第二氣體分配板的頂表面中形成的凹陷區(qū)域，所述凹陷區(qū)域環(huán)繞所述中心開口。

在另一個(gè)實(shí)施例中，所述處理腔室包括：第一氣體源，所述第一氣體源包括第一氣體管線和第二氣體管線；穿孔蓋；設(shè)置在所述穿孔蓋上的氣體阻滯器；以及設(shè)置在所述穿孔蓋下方的基板支撐件，所述基板支撐件具有基板支撐表面。所述氣體阻滯器包括：氣體歧管；在所述氣體歧管中形成的中心氣體通道；設(shè)置在所述氣體歧管下方的第一氣體分配板，所述第一氣體分配板包括環(huán)繞所述中心氣體通道的內(nèi)溝槽和環(huán)繞所述內(nèi)溝槽的外溝槽；在所述氣體歧管中形成的第一氣體通道，所述第一氣體通道具有與所述第一氣體管線流體連通的第一端和與所述內(nèi)溝槽流體連通的第二端；在所述氣體歧管中形成的第二氣體通道，所述第二氣體通道具有與所述第二氣體管線流體連通的第一端和與所述外溝槽流體連通的第二端；設(shè)置在所述第一氣體分配板下方的第二氣體分配板，所述第二氣體分配板包括穿過所述第二氣體分配板的底部而形成的多個(gè)通孔；設(shè)置在所述第二氣體分配板下方的第三氣體分配板，并且所述第三氣體分配板包括穿過所述第三氣體分配板的底部而形成的多個(gè)通孔，并且所述第三氣體分配板接觸所述穿孔蓋的頂表面。