[發(fā)明專利]通過獨(dú)立控制TEOS流量的沉積徑向和邊緣輪廓可維持性

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810576218.X
• 申請日: 2018-06-06
• 公開（公告）號: CN108998776B
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·巴錄佳;Y·楊;T·恩古耶;N·南塔瓦拉努;J·F·奧布充;T·A·恩古耶;K·嘉納基拉曼
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/513
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 楊學(xué)春;侯穎媖

1.一種用于處理基板的處理腔室，包括：

穿孔蓋；

設(shè)置在所述穿孔蓋上的氣體阻滯器，所述氣體阻滯器包括：

氣體歧管；

在所述氣體歧管中形成的中心氣體通道；

設(shè)置在所述氣體歧管下方的第一氣體分配板，所述第一氣體分配板包括環(huán)繞所述中心氣體通道的內(nèi)溝槽和環(huán)繞所述內(nèi)溝槽的外溝槽，且所述內(nèi)溝槽和所述外溝槽被布置成兩個同心圓；

在所述氣體歧管中形成的第一氣體通道，所述第一氣體通道具有與第一氣體源流體連通的第一端和與所述內(nèi)溝槽流體連通的第二端；

在所述氣體歧管中形成的第二氣體通道，所述第二氣體通道具有與所述第一氣體源流體連通的第一端和與所述外溝槽流體連通的第二端；

設(shè)置在所述第一氣體分配板下方的第二氣體分配板，所述第二氣體分配板包括：

穿過所述第二氣體分配板的底部而形成的多個通孔；

與所述中心氣體通道流體連通的中心開口；以及

在所述第二氣體分配板的頂表面中形成的凹陷區(qū)域，所述凹陷區(qū)域環(huán)繞所述中心開口；

設(shè)置在所述第二氣體分配板下方的第三氣體分配板，所述第三氣體分配板包括穿過所述第三氣體分配板的底部而形成的多個通孔，并且所述第三氣體分配板接觸所述穿孔蓋的頂表面；

設(shè)置在所述第二氣體分配板和所述第三氣體分配板之間的多個直通通道，并且每個直通通道延伸穿過所述穿孔蓋；以及

設(shè)置在所述穿孔蓋下方的基板支撐件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理腔室，其中，所述第三氣體分配板包括：

限定所述第三氣體分配板的內(nèi)氣體區(qū)的內(nèi)環(huán)，所述內(nèi)氣體區(qū)與所述內(nèi)溝槽流體連通；以及

環(huán)繞所述內(nèi)環(huán)的外環(huán)，所述內(nèi)環(huán)和所述外環(huán)同心地設(shè)置在所述第二氣體分配板和所述第三氣體分配板之間，其中，所述內(nèi)環(huán)和所述外環(huán)限定所述第三氣體分配板的外氣體區(qū)，并且所述外氣體區(qū)與所述第二氣體分配板的所述凹陷區(qū)域流體連通。

3.一種用于處理基板的處理腔室，包括：

第一氣體源，所述第一氣體源包括第一氣體管線和第二氣體管線；

穿孔蓋；

設(shè)置在所述穿孔蓋上的氣體阻滯器，所述氣體阻滯器包括：

氣體歧管；

在所述氣體歧管中形成的中心氣體通道；

設(shè)置在所述氣體歧管下方的第一氣體分配板，所述第一氣體分配板包括環(huán)繞所述中心氣體通道的內(nèi)溝槽和環(huán)繞所述內(nèi)溝槽的外溝槽，且所述內(nèi)溝槽和所述外溝槽被布置成兩個同心圓；

在所述氣體歧管中形成的第一氣體通道，所述第一氣體通道具有與所述第一氣體管線流體連通的第一端和與所述內(nèi)溝槽流體連通的第二端；

在所述氣體歧管中形成的第二氣體通道，所述第二氣體通道具有與所述第二氣體管線流體連通的第一端和與所述外溝槽流體連通的第二端；

設(shè)置在所述第一氣體分配板下方的第二氣體分配板，所述第二氣體分配板包括穿過所述第二氣體分配板的底部而形成的多個通孔；

設(shè)置在所述第二氣體分配板下方的第三氣體分配板，所述第三氣體分配板包括穿過所述第三氣體分配板的底部而形成的多個通孔，并且所述第三氣體分配板接觸所述穿孔蓋的頂表面；以及

設(shè)置在所述穿孔蓋下方的基板支撐件，所述基板支撐件具有基板支撐表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的處理腔室，其中，所述第二氣體分配板包括：

與所述中心氣體通道流體連通的中心開口；以及

在所述第二氣體分配板的頂表面中形成的凹陷區(qū)域，所述凹陷區(qū)域環(huán)繞所述中心開口并且在所述中心開口和所述第二氣體分配板的邊緣之間徑向延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的處理腔室，其中，所述第三氣體分配板包括：

在所述第三氣體分配板的頂表面中形成的凹陷區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的處理腔室，其中，所述第三氣體分配板包括：

限定所述第三氣體分配板的內(nèi)氣體區(qū)的內(nèi)環(huán)，所述內(nèi)氣體區(qū)與所述內(nèi)溝槽流體連通；以及

環(huán)繞所述內(nèi)環(huán)的外環(huán)，所述內(nèi)環(huán)和所述外環(huán)同心地設(shè)置在所述第二氣體分配板和所述第三氣體分配板之間，其中，所述內(nèi)環(huán)和所述外環(huán)限定所述第三氣體分配板的外氣體區(qū)，并且所述外氣體區(qū)與所述第二氣體分配板的所述凹陷區(qū)域流體連通。