[發明專利]半導體存儲器及其控制方法

有效

• 申請號: 201810574732.X
• 申請日: 2017-08-21
• 公開（公告）號: CN108447511B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G11C7/04
• 分類號: G11C7/04;G11C11/406
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 陳建煥;武晨燕

1.一種半導體存儲器，其特征在于，包括：

溫度傳感器，用于檢測半導體存儲器的溫度；

刷新控制單元，連接于所述溫度傳感器，通過采樣所述溫度傳感器所檢測的所述半導體存儲器的溫度來控制所述半導體存儲器進行自刷新操作的頻率；以及

溫度控制單元，連接于所述溫度傳感器，用于從所述溫度傳感器處獲取并存儲所述半導體存儲器的第一溫度值和第二溫度值，計算所述第一溫度值和所述第二溫度值的偏差，在所述偏差超過閾值時發送啟動ZQ校準的信號；其中，所述第一溫度值是所述溫度控制單元在預設的采樣周期下獲取的由所述溫度傳感器所檢測的所述半導體存儲器的溫度；所述第二溫度值是所述溫度控制單元在收到ZQ校準結束的信號時獲取的所述溫度傳感器所檢測的所述半導體存儲器的溫度；

所述半導體存儲器還包括控制器，所述控制器用于輸出ZQ短類型校準信號；

所述溫度控制單元包括邏輯門，所述控制器與所述邏輯門連接，在所述偏差超過閾值時，所述溫度控制單元通過所述邏輯門使所述ZQ短類型校準信號有效，以發送啟動ZQ校準的信號。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其特征在于，所述半導體存儲器還包括：

ZQ校準單元，連接于所述溫度控制單元，令所述溫度控制單元串接于所述溫度傳感器和所述ZQ校準單元之間，所述ZQ校準單元用于在收到所述溫度控制單元啟動ZQ校準的信號時，對所述半導體存儲器進行ZQ校準，并在ZQ校準結束時發送ZQ校準結束的信號給所述溫度控制單元；

所述溫度控制單元用于在所述偏差超過閾值時通過所述邏輯門使所述ZQ短類型校準信號有效，以向所述ZQ校準單元發送啟動ZQ校準的信號。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲器，其特征在于，在所述半導體存儲器和所述ZQ校準單元都處于空閑狀態下，所述ZQ校準單元在收到啟動ZQ校準的信號時對所述半導體存儲器進行ZQ校準。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲器，其特征在于，當所述半導體存儲器處于所述空閑狀態下，所述刷新控制單元控制所述半導體存儲器進行所述自刷新操作的頻率為零。

5.根據權利要求3所述的半導體存儲器，其特征在于，所述控制器連接于所述ZQ校準單元，所述ZQ校準單元通過所述控制器獲得所述半導體存儲器處于所述空閑狀態。

6.根據權利要求2至5任一項所述的半導體存儲器，其特征在于，所述溫度控制單元包括：第一寄存器、第二寄存器、計算子單元、比較子單元和控制子單元；

所述第一寄存器，連接于所述溫度傳感器與所述控制子單元之間，用于在所述控制子單元的觸發下從所述溫度傳感器處獲取和存儲所述第一溫度值；

所述第二寄存器，連接于所述溫度傳感器與所述控制子單元之間，用于在收到所述ZQ校準單元發出的ZQ校準結束的信號時從所述溫度傳感器處獲取和存儲所述第二溫度值；

所述計算子單元，連接于所述第一寄存器和所述第二寄存器的輸出端，用于計算所述第一溫度值與所述第二溫度值的偏差；

所述比較子單元，連接于所述計算子單元和所述控制子單元之間，用于比較所述偏差與所述閾值，并將比較結果輸出給所述控制子單元；及

所述控制子單元，連接于所述第一寄存器和所述ZQ校準單元之間，用于以所述采樣周期觸發所述第一寄存器，以及在所述偏差超過所述閾值時發送啟動ZQ校準的信號給所述ZQ校準單元。

7.根據權利要求6所述的半導體存儲器，其特征在于，所述ZQ校準單元對所述半導體存儲器進行ZQ校準包括進行第一時長的ZQ長類型校準和進行第二時長的ZQ短類型校準，所述第一時長大于所述第二時長，當ZQ校準單元收到所述控制子單元發出的啟動ZQ校準的信號時，所述ZQ校準單元對所述半導體存儲器進行ZQ短類型校準。

8.根據權利要求7所述的半導體存儲器，其特征在于，所述邏輯門連接于所述控制子單元與所述ZQ校準單元之間，所述控制子單元通過所述邏輯門發送啟動所述ZQ短類型校準的信號給所述ZQ校準單元。