[發明專利]半導體存儲器及其控制方法

有效

• 申請號: 201810574732.X
• 申請日: 2017-08-21
• 公開（公告）號: CN108447511B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G11C7/04
• 分類號: G11C7/04;G11C11/406
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 陳建煥;武晨燕

本發明提供了一種半導體存儲器及其控制方法，半導體存儲器包括：溫度傳感器，用于檢測半導體存儲器的溫度；刷新控制單元，通過采樣溫度傳感器所檢測的半導體存儲器的溫度來控制半導體存儲器進行自刷新操作的頻率；溫度控制單元，用于從溫度傳感器處獲取半導體存儲器的溫度，并發送啟動ZQ校準的信號。本發明實現半導體存儲器根據自身溫度變化自動啟動ZQ校準，溫度控制單元和刷新控制單元共用溫度傳感器，可以節省成本，節省功耗。

本申請是在先申請(發明名稱：應用于半導體存儲器的ZQ校準控制；申請日：2017年8月21日；申請號：2017107205858)的分案申請。

技術領域

本發明涉及半導體存儲技術領域，尤其涉及一種半導體存儲器及其控制方法。

背景技術

對DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取存儲器)來說，輸出端的上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的電阻值的大小和匹配影響輸出信號的完整性。在DRAM應用中，通常使用ZQ校準(ZQ calibration)來調節輸出上拉/下拉的能力(即調節輸出端的上拉/下拉的電阻值)。如圖1所示，在半導體存儲器系統上電后，半導體存儲器的控制器10會發送一個ZQ校準命令 (ZQCL，ZQ Long Calibration，ZQ長類型校準)給ZQ校準單元20，ZQ校準單元20進行ZQ校準，以校準輸出的上拉/下拉強度(即校準輸出端的上拉/下拉的電阻值大小)，并將輸出上拉電阻設置參數和輸出下拉電阻設置參數復制給 DQ管腳的輸出驅動單元30。

隨著DRAM在系統中工作狀態發生變化(比如高速頻繁讀寫和低速間隔讀寫)，芯片溫度會隨時發生變化，從而影響輸出端的上拉/下拉電阻值，使輸出端的上拉/下拉電阻可能會再次出現不匹配，影響輸出信號的完整性，需要控制器 10周期性的重復發送ZQ校準命令(ZQCS，ZQ Short Calibration，ZQ短類型校準)給ZQ校準單元20，進行ZQ校準。如果溫度變化率不恒定，會導致控制器10更新不及時，或者冗余更新太多，功耗過大。

因此，如何及時有效的改善DRAM輸出端的輸出阻值，以維持輸出信號的完整性，是亟待解決的技術問題。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種半導體存儲器及其控制方法，以至少解決現有技術中的以上技術問題。

作為本發明實施例的第一個方面，本發明實施例提供一種半導體存儲器，包括：

溫度傳感器，用于檢測半導體存儲器的溫度；

刷新控制單元，連接于所述溫度傳感器，通過采樣所述溫度傳感器所檢測的所述半導體存儲器的溫度來控制所述半導體存儲器進行自刷新操作的頻率；以及

溫度控制單元，連接于所述溫度傳感器，用于從所述溫度傳感器處獲取所述半導體存儲器的溫度，并根據所述半導體存儲器的溫度發送啟動ZQ校準的信號。

優選地，所述半導體存儲器還包括：

ZQ校準單元，連接于所述溫度控制單元，令所述溫度控制單元串接于所述溫度傳感器和所述ZQ校準單元之間，所述ZQ校準單元用于在收到所述溫度控制單元啟動ZQ校準的信號時，對所述半導體存儲器進行ZQ校準，并在ZQ 校準結束時發送ZQ校準結束的信號給所述溫度控制單元；

所述溫度控制單元用于從所述溫度傳感器處獲取并存儲所述半導體存儲器的第一溫度值和第二溫度值，計算所述第一溫度值和所述第二溫度值的偏差，在所述偏差超過閾值時向所述ZQ校準單元發送啟動ZQ校準的信號；其中，所述第一溫度值是所述溫度控制單元在預設的采樣周期下獲取的由所述溫度傳感器所檢測的所述半導體存儲器的溫度；所述第二溫度值是所述溫度控制單元在收到所述ZQ校準單元發送的ZQ校準結束的信號時獲取的所述溫度傳感器所檢測的所述半導體存儲器的溫度。