[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810570161.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108803168B | 公開(公告)日: | 2020-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱茂霞;徐洪遠(yuǎn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02F1/1362 | 分類號(hào): | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 及其 制作方法 液晶 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上形成TFT器件后,依次覆蓋鈍化層、遮擋層和光阻層,其中,所述遮擋層采用金屬制作;
采用一道光罩對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光,以使所述光阻層對(duì)應(yīng)有效顯示區(qū)的位置形成交替設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域,并使所述光阻層對(duì)應(yīng)所述TFT器件的源極/漏極的位置形成第三區(qū)域;其中,所述第一區(qū)域的光阻層的厚度小于所述第二區(qū)域的光阻層的厚度,所述第三區(qū)域裸露出所述遮擋層;對(duì)所述第三區(qū)域裸露的所述遮擋層進(jìn)行蝕刻以裸露所述鈍化層,以及對(duì)裸露的所述鈍化層進(jìn)行蝕刻以裸露所述TFT器件的源極/漏極;對(duì)所述光阻層進(jìn)行部分灰化,以使所述第一區(qū)域裸露所述遮擋層,且所述第二區(qū)域的光阻層的厚度減小;對(duì)所述第一區(qū)域裸露的所述遮擋層進(jìn)行蝕刻,以裸露所述鈍化層;其中,所述第一區(qū)域裸露出所述鈍化層,所述第二區(qū)域?qū)?yīng)的遮擋層的寬度小于所述光阻層的寬度,所述第三區(qū)域裸露出所述TFT器件的源極/漏極;
在所述陣列基板的表面形成第一導(dǎo)電層;其中,所述第一導(dǎo)電層與所述第一區(qū)域裸露的鈍化層、所述第二區(qū)域的光阻層、以及所述第三區(qū)域裸露的源極/漏極接觸,且所述第一區(qū)域的第一導(dǎo)電層和所述第二區(qū)域的第一導(dǎo)電層之間斷開;
對(duì)所述光阻層進(jìn)行剝離,以使所述第二區(qū)域裸露出所述遮擋層;
對(duì)裸露的所述遮擋層進(jìn)行氧化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,
所述光罩包括透光區(qū)、非透光區(qū)以及半透光區(qū);其中,所述半透光區(qū)對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域,所述非透光區(qū)對(duì)應(yīng)所述第二區(qū)域,所述透光區(qū)對(duì)應(yīng)所述第三區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,
所述對(duì)所述第一區(qū)域裸露的所述遮擋層進(jìn)行蝕刻,以裸露所述鈍化層的步驟,具體為:
對(duì)所述第一區(qū)域裸露的所述遮擋層進(jìn)行濕法蝕刻,同時(shí)對(duì)所述第二區(qū)域的所述遮擋層進(jìn)行側(cè)向濕法蝕刻,以使所述第二區(qū)域?qū)?yīng)的遮擋層的寬度小于所述光阻層的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,
所述對(duì)所述第三區(qū)域裸露的所述遮擋層進(jìn)行蝕刻以裸露所述鈍化層,以及對(duì)裸露的所述鈍化層進(jìn)行蝕刻以裸露所述TFT器件的源極/漏極的步驟,包括:
采用濕法蝕刻對(duì)所述第三區(qū)域裸露的所述遮擋層進(jìn)行蝕刻以裸露所述鈍化層;
采用干法蝕刻對(duì)所述第三區(qū)域裸露的所述鈍化層進(jìn)行蝕刻以裸露所述TFT器件的源極/漏極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,
所述在基板上形成TFT器件后,依次覆蓋鈍化層、遮擋層和光阻層的步驟之前,還包括:
提供一基板;
在所述基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、有源層和第二導(dǎo)電層;
對(duì)所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理,以形成源極和漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,
所述第一導(dǎo)電層為ITO。
7.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板是采用如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的制作方法制作得到的陣列基板。
8.一種液晶顯示裝置,其特征在于,所述液晶顯示裝置包括顯示面板和背光源;
其中,所述顯示面板包括陣列基板、彩膜基板、以及所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶層;
其中,所述陣列基板是如權(quán)利要求7所述的陣列基板。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司,未經(jīng)深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810570161.2/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





