[發(fā)明專(zhuān)利]一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810570161.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108803168B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱茂霞;徐洪遠(yuǎn) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G02F1/1362 | 分類(lèi)號(hào): | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 及其 制作方法 液晶 顯示裝置 | ||
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示裝置,該陣列基板的制作方法包括:在基板上形成TFT器件后,依次覆蓋鈍化層、遮擋層和光阻層;對(duì)光阻層、遮擋層和鈍化層進(jìn)行處理,以在對(duì)應(yīng)有效顯示區(qū)的位置形成第一區(qū)域和第二區(qū)域,以及在對(duì)應(yīng)TFT器件的位置形成第三區(qū)域;在陣列基板的表面形成第一導(dǎo)電層;對(duì)光阻層進(jìn)行剝離。通過(guò)上述方式,本申請(qǐng)一方面能夠減少了光罩制程,提高了制作效率,另一方面還能夠提高了光阻的剝離效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示裝置。
背景技術(shù)
LCDs(Liquid crystal displays)是一種被廣泛應(yīng)用的平板顯示器,主要是通過(guò)液晶開(kāi)關(guān)調(diào)制背光源光場(chǎng)強(qiáng)度來(lái)實(shí)現(xiàn)畫(huà)面顯示。
該開(kāi)關(guān)一般采用TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管)制作,TFT制程一般采用多道光罩(mask),過(guò)多的光罩次數(shù)會(huì)增加制程成本,同時(shí)也會(huì)增加生產(chǎn)時(shí)間,使生產(chǎn)效率大大降低。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示裝置,一方面能夠減少了光罩制程,提高了制作效率,另一方面還能夠提高了光阻的剝離效率。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本申請(qǐng)采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板的制作方法,該方法包括:在基板上形成TFT器件后,依次覆蓋鈍化層、遮擋層和光阻層;對(duì)光阻層、遮擋層和鈍化層進(jìn)行處理,以在對(duì)應(yīng)有效顯示區(qū)的位置形成第一區(qū)域和第二區(qū)域,以及在對(duì)應(yīng)TFT器件的位置形成第三區(qū)域;其中,第一區(qū)域裸露出鈍化層,第二區(qū)域?qū)?yīng)的遮擋層的寬度小于光阻層的寬度,第三區(qū)域裸露出TFT器件的源極/漏極;在陣列基板的表面形成第一導(dǎo)電層;其中,第一導(dǎo)電層與第一區(qū)域裸露的鈍化層、第二區(qū)域的光阻層、以及第三區(qū)域裸露的源極/漏極接觸,且第一區(qū)域的第一導(dǎo)電層和第二區(qū)域的第一導(dǎo)電層之間斷開(kāi);對(duì)光阻層進(jìn)行剝離。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本申請(qǐng)采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板,該陣列基板是采用如下方式制作得到的:在基板上形成TFT器件后,依次覆蓋鈍化層、遮擋層和光阻層;對(duì)光阻層、遮擋層和鈍化層進(jìn)行處理,以在對(duì)應(yīng)有效顯示區(qū)的位置形成第一區(qū)域和第二區(qū)域,以及在對(duì)應(yīng)TFT器件的位置形成第三區(qū)域;其中,第一區(qū)域裸露出鈍化層,第二區(qū)域?qū)?yīng)的遮擋層的寬度小于光阻層的寬度,第三區(qū)域裸露出TFT器件的源極/漏極;在陣列基板的表面形成第一導(dǎo)電層;其中,第一導(dǎo)電層與第一區(qū)域裸露的鈍化層、第二區(qū)域的光阻層、以及第三區(qū)域裸露的源極/漏極接觸,且第一區(qū)域的第一導(dǎo)電層和第二區(qū)域的第一導(dǎo)電層之間斷開(kāi);對(duì)光阻層進(jìn)行剝離。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本申請(qǐng)采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種液晶顯示裝置,該液晶顯示裝置包括陣列基板、彩膜基板、以及陣列基板和彩膜基板之間的液晶層;其中,該陣列基板是采用如下方式制作得到的:在基板上形成TFT器件后,依次覆蓋鈍化層、遮擋層和光阻層;對(duì)光阻層、遮擋層和鈍化層進(jìn)行處理,以在對(duì)應(yīng)有效顯示區(qū)的位置形成第一區(qū)域和第二區(qū)域,以及在對(duì)應(yīng)TFT器件的位置形成第三區(qū)域;其中,第一區(qū)域裸露出鈍化層,第二區(qū)域?qū)?yīng)的遮擋層的寬度小于光阻層的寬度,第三區(qū)域裸露出TFT器件的源極/漏極;在陣列基板的表面形成第一導(dǎo)電層;其中,第一導(dǎo)電層與第一區(qū)域裸露的鈍化層、第二區(qū)域的光阻層、以及第三區(qū)域裸露的源極/漏極接觸,且第一區(qū)域的第一導(dǎo)電層和第二區(qū)域的第一導(dǎo)電層之間斷開(kāi);對(duì)光阻層進(jìn)行剝離。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過(guò)改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來(lái)自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
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G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





