[發明專利]OLED顯示面板在審
| 申請號: | 201810570070.9 | 申請日: | 2018-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN108538906A | 公開(公告)日: | 2018-09-14 |
| 發明(設計)人: | 黃靜;徐湘倫 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素定義層 陣列基板 封裝層 非顯示區域 平坦化層 非平面接觸面 顯示區域 外圍 窄邊框設計 邊緣區域 定義區域 有機層 擋墻 阻擋 貫穿 覆蓋 | ||
本發明提供了一種OLED顯示面板,包括:陣列基板,所述陣列基板包括顯示區域以及所述顯示區域外圍的非顯示區域;設置于所述陣列基板上的平坦化層;設置于所述平坦化層上的像素定義層;設置于所述像素定義層定義區域內并貫穿所述平坦化層與所述陣列基板接觸的OLED器件;覆蓋所述OLED器件、所述像素定義層以及所述陣列基板的封裝層;其中,在非顯示區域內,所述像素定義層與所述封裝層的接觸面為非平面接觸面。本發明通過將非顯示區域內所述像素定義層與所述封裝層的接觸面設置為非平面接觸面,在將封裝層中有機層阻擋在像素定義層邊界的同時,減少了外圍擋墻的數量,進而縮小了封裝層的邊緣區域,有利于OLED顯示面板的窄邊框設計。
技術領域
本發明涉及液晶顯示技術領域,尤其涉及一種OLED顯示面板。
背景技術
有機發光二極管(organic light emitting diode,簡稱OLED)具有自發光、低能耗、寬視角、色彩豐富、快速響應等優良特性,OLED被認為是極具潛力的下一代技術。
目前廣泛應用到顯示領域的OLED屏幕通常采用頂發射(top-emitting)的器件結構,OLED器件由陽極、有機層和陰極組成。其中,有機物層包含空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層。
由于有機層和陰極對水和氧氣非常敏感,故在制備柔性OLED屏幕時,需采用各種手段來封裝有機發光器件。當前,OLED顯示面板主要是采用無機/有機/無機的疊層結構以起到在充分隔離外界水氧侵蝕的同時覆蓋生產過程中無法避免的顆粒污染物、緩沖彎曲、折疊過程中的應力。
封裝結構中有機層的制備通過采用閃蒸、噴墨打印等技術實現;其中,噴墨打印技術具有操作時間短、制備出的有機層平坦化效果好等優點,但是有機層制備過程中使用的有機層單體流動性較大導致有機層的邊界不能很好的控制,因此技術人員通過在顯示區域的外圍設置擋墻的方式來阻擋有機溶液的外溢,從而避免有機溶液外溢導致的相關問題,但是這種結構需要制備至少兩圈外圍擋墻;這樣外圍擋墻的設置與現有OLED顯示面板窄邊框的需求相矛盾。因此,目前亟需一種OLED顯示面板以解決上述問題。
發明內容
本發明提供一種OLED顯示面板,解決現有OLED顯示面板中擋墻的設置與OLED顯示面板窄邊框的需求相矛盾的問題。
為解決上述問題,本發明提供的技術方案如下:
本發明提供了一種OLED顯示面板,包括:
陣列基板,所述陣列基板包括顯示區域以及所述顯示區域外圍的非顯示區域;
設置于所述陣列基板上的平坦化層;
設置于所述平坦化層上的像素定義層;
設置于所述像素定義層定義區域內并貫穿所述平坦化層與所述陣列基板接觸的OLED器件;
覆蓋所述OLED器件、所述像素定義層以及所述陣列基板的封裝層;
其中,在非顯示區域內,所述像素定義層與所述封裝層的接觸面為非平面接觸面。
根據本發明一優選實施例,所述像素定義層在所述非平面接觸面上形成有至少一個擋墻。
根據本發明一優選實施例,所述擋墻位于非顯示區域內所述像素定義層的端部位置。
根據本發明一優選實施例,所述擋墻沿所述顯示區域至所述非顯示區域方向由疏到密排布或者均勻排布。
根據本發明一優選實施例,所述擋墻為梯形,所述擋墻的上表面為鋸齒狀。
根據本發明一優選實施例,擋墻為有機擋墻。
根據本發明一優選實施例,所述有機層位于所述擋墻的內側。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電半導體顯示技術有限公司,未經武漢華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810570070.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





