[發(fā)明專利]OLED顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810570070.9 | 申請日： | 2018-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN108538906A | 公開（公告）日： | 2018-09-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃靜;徐湘?zhèn)?/a> | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黃威 |
| 地址： | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 像素定義層 陣列基板 封裝層 非顯示區(qū)域 平坦化層 非平面接觸面 顯示區(qū)域 外圍 窄邊框設(shè)計 邊緣區(qū)域 定義區(qū)域 有機(jī)層 擋墻 阻擋 貫穿 覆蓋 | ||
1.一種OLED顯示面板，其特征在于，包括：
陣列基板，所述陣列基板包括顯示區(qū)域以及所述顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域；
設(shè)置于所述陣列基板上的平坦化層；
設(shè)置于所述平坦化層上的像素定義層；
設(shè)置于所述像素定義層定義區(qū)域內(nèi)并貫穿所述平坦化層與所述陣列基板接觸的OLED器件；
覆蓋所述OLED器件、所述像素定義層以及所述陣列基板的封裝層；
其中，在非顯示區(qū)域內(nèi)，所述像素定義層與所述封裝層的接觸面為非平面接觸面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述像素定義層在所述非平面接觸面上形成有至少一個擋墻。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述擋墻位于所述非顯示區(qū)域內(nèi)所述像素定義層的端部位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述擋墻沿所述顯示區(qū)域至所述非顯示區(qū)域方向由疏到密排布或者均勻排布。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述擋墻為梯形，所述擋墻的上表面為鋸齒狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述擋墻為有機(jī)擋墻。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述有機(jī)層位于所述擋墻的內(nèi)側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED顯示面板，其特征在于，部分所述有機(jī)層位于所述擋墻的外側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述像素定義層在所述非平面接觸面上形成有溝道。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述溝道沿所述顯示區(qū)域至所述非顯示區(qū)域方向由疏到密排布或者均勻排布。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述溝道之間深度相同或者不同。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述溝道的深度小于或者等于非顯示區(qū)域內(nèi)所述像素定義層的深度。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述溝道的深度大于非顯示區(qū)域內(nèi)所述像素定義層的深度并小于或者等于非顯示區(qū)域內(nèi)所述像素定義層的深度與所述平坦化層的深度之和。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述像素定義層在所述非平面接觸面上形成有溝道和擋墻。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述溝道位于所述擋墻的內(nèi)側(cè)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述溝道與所述擋墻交替分布。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述像素定義層與所述封裝層的非平面接觸面為非連續(xù)形狀和非直線形狀中的至少一者。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
