[發明專利]存儲器的讀取電路

在審

• 申請號: 201810569760.2
• 申請日: 2018-06-05
• 公開（公告）號: CN108847262A
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 王梅玉
• 申請（專利權）人: 王梅玉
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10;G11C7/18
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發明實施例公開了一種存儲器的讀取電路，所述讀取電路包括數據存儲單元電路和參考電路，所述數據存儲電路包括多個數據存儲單元，所述參考電路包括n個參考單元組，n為正整數；每一個所述參考單元組包括m個參考單元，m為正整數；n個所述參考單元組串聯連接；m個所述參考單元并聯連接。本發明實施例提供的技術方案，將讀取電路中的參考電路設置成參考單元的串并聯電路，大大減小了參考單元的電阻的分布偏差，提高了讀出裕量，可以快速且準確對數據存儲單元的數據存儲狀態進行讀取。

技術領域

本發明實施例涉及存儲器領域，尤其涉及一種存儲器的讀取電路。

背景技術

對存儲器的常規操作包括讀、寫和擦除操作。其中對于存儲器的讀操作需要通過讀取電路完成。

通過對讀取電路中的數據存儲單元和參考單元的電流或者電壓信號進行比對，可以得出存儲器中數據存儲單元的存儲狀態。

存儲器的讀取電路中的參考電路的參考單元的電阻服從正太分布，目前存儲器的讀取電路中的參考電路的參考單元的電阻的分布偏差較大，導致讀取結果較慢且不是很準確。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供了一種存儲器的讀取電路，大大減小了參考單元的電阻的分布偏差，提高了讀出裕量，可以快速且準確對數據存儲單元的數據存儲狀態進行讀取。

本發明實施例提供了一種存儲器的讀取電路，所述讀取電路包括數據存儲單元電路和參考電路，所述數據存儲電路包括多個數據存儲單元，包括：

所述參考電路包括n個參考單元組，n為正整數；

每一個所述參考單元組包括m個參考單元，m為正整數；

n個所述參考單元組串聯連接；

m個所述參考單元并聯連接。

可選的，所述數據存儲單元包括阻變存儲單元。

可選的，所述參考單元的阻值的取值為所述數據存儲單元的高阻態阻值；或者，

所述參考單元的阻值的取值為所述數據存儲單元的低阻態阻值。

可選的，所述參考電路還包括多個間隔排列的第一電極和多個間隔排列的第二電極，所述第一電極包括第一子電極和第二子電極，所述第二電極包括第三子電極和第四子電極，相鄰兩個所述第一電極中，前一個所述第一電極的第二子電極和后一個所述第一電極中的第一子電極與一個所述第二電極相對設置，相鄰兩個所述第二電極中，前一個所述第二電極的第四子電極和后一個所述第二電極中的第三子電極與一個所述第一電極相對設置；

其中，所述第二子電極與所述第三子電極相對設置，所述第一子電極與所述第四子電極相對設置；

同一個所述參考單元組的參考單元的第一端與同一個所述第一電極電連接，且一個所述參考單元組的參考單元的第二端與同一個所述第二電極電連接；

第奇數個所述參考單元組的參考單元的第一端與所述第二子電極電連接，第奇數個所述參考單元組的參考單元的第二端與所述第三子電極電連接；

第偶數個所述參考單元組的參考單元的第一端與所述第一子電極電連接，第偶數個所述參考單元組的參考單元的第二端與所述第四子電極電連接；

當n為偶數時，首個所述第一電極與位線電連接，最后一個所述第一電極接地；

當n為奇數時，首個所述第一電極與位線電連接，最后一個所述第二電極接地。

可選的，每個參考單元所需的物理寬度為單位寬度，n與m的乘積個參考單元所需的物理寬度等于n與m的乘積個單位寬度之和，n與m的乘積個參考單元所需的物理寬度等于位線的長度。