[發明專利]存儲器的讀取電路

在審

• 申請號: 201810569760.2
• 申請日: 2018-06-05
• 公開（公告）號: CN108847262A
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 王梅玉
• 申請（專利權）人: 王梅玉
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10;G11C7/18
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種存儲器的讀取電路，所述讀取電路包括數據存儲單元電路和參考電路，所述數據存儲電路包括多個數據存儲單元，其特征在于，包括：

所述參考電路包括n個參考單元組，n為正整數；

每一個所述參考單元組包括m個參考單元，m為正整數；

n個所述參考單元組串聯連接；

m個所述參考單元并聯連接。

2.根據權利要求1所述的讀取電路，其特征在于，

所述數據存儲單元包括阻變存儲單元。

3.根據權利要求2所述的讀取電路，其特征在于，

所述參考單元的阻值的取值為所述數據存儲單元的高阻態阻值；或者，

所述參考單元的阻值的取值為所述數據存儲單元的低阻態阻值。

4.根據權利要求2所述的讀取電路，其特征在于，

所述參考電路還包括多個間隔排列的第一電極和多個間隔排列的第二電極，所述第一電極包括第一子電極和第二子電極，所述第二電極包括第三子電極和第四子電極，相鄰兩個所述第一電極中，前一個所述第一電極的第二子電極和后一個所述第一電極中的第一子電極與一個所述第二電極相對設置，相鄰兩個所述第二電極中，前一個所述第二電極的第四子電極和后一個所述第二電極中的第三子電極與一個所述第一電極相對設置；

其中，所述第二子電極與所述第三子電極相對設置，所述第一子電極與所述第四子電極相對設置；

同一個所述參考單元組的參考單元的第一端與同一個所述第一電極電連接，且一個所述參考單元組的參考單元的第二端與同一個所述第二電極電連接；

第奇數個所述參考單元組的參考單元的第一端與所述第二子電極電連接，第奇數個所述參考單元組的參考單元的第二端與所述第三子電極電連接；

第偶數個所述參考單元組的參考單元的第一端與所述第一子電極電連接，第偶數個所述參考單元組的參考單元的第二端與所述第四子電極電連接；

當n為偶數時，首個所述第一電極與位線電連接，最后一個所述第一電極接地；

當n為奇數時，首個所述第一電極與位線電連接，最后一個所述第二電極接地。

5.根據權利要求4所述的讀取電路，其特征在于，

每個參考單元所需的物理寬度為單位寬度，n與m的乘積個參考單元所需的物理寬度等于位線的長度。

6.根據權利要求2所述的讀取電路，其特征在于，

所述參考電路的等效電阻大于或等于多個所述數據存儲單元處于低阻態時阻值最高的低阻態阻值，且小于或等于多個所述數據存儲單元處于高阻態時阻值最低的高阻態阻值。

7.根據權利要求6所述的讀取電路，其特征在于，

所述參考電路的等效電阻等于多個所述數據存儲單元處于低阻態時阻值最高的低阻態阻值和多個所述數據存儲單元處于高阻態時阻值最低的高阻態阻值的平均值。

8.根據權利要求4所述的讀取電路，其特征在于，

所述參考電路還包括第一MOS管和比較器；

所述第一MOS管的第一端與比較器的第一信號輸入端電連接，所述第一MOS管的第二端與所述位線電連接，所述第一MOS管的控制端用于接入字線的電信號。

9.根據權利要求8所述的讀取電路，其特征在于，

所述數據存儲電路還包括第二MOS管；

所述第二MOS管的第一端與所述比較器的第二輸入端電連接，所述第二MOS管的第二端與所述位線電連接，所述第二MOS管的控制端用于接入所述字線的電信號，多個所述數據存儲單元的第一公共輸出端與所述位線電連接，多個所述數據存儲單元的第二公共輸出端接地。

10.根據權利要求9所述的讀取電路，其特征在于，

所述比較器包括電流比較器或者電壓比較器。