[發明專利]薄膜太陽能電池制備方法及其邊緣隔離方法有效
| 申請號: | 201810561244.5 | 申請日: | 2018-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN108767066B | 公開(公告)日: | 2020-06-12 |
| 發明(設計)人: | 王振華;黃東海;湯志為;黃進陽;樂安新;楊凱;高云峰 | 申請(專利權)人: | 大族激光科技產業集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0445 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 518051 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 太陽能電池 制備 方法 及其 邊緣 隔離 | ||
本發明涉及一種薄膜太陽能電池制備方法及其邊緣隔離方法,該邊緣隔離方法用于對經激光清邊后的薄膜太陽能電池進行邊緣隔離,包括步驟:提供經激光清邊后的薄膜太陽能電池;機械刻刀移動到薄膜太陽能電池離短邊清邊區域預設距離處;機械刻刀受恒力驅使移動至機械刻刀的刀頭正好與背電極層的表面接觸;薄膜太陽能電池與機械刻刀沿垂直于內聯刻線的方向相對移動,使得機械刻刀刮除掉透明導電層和吸收層,從而實現薄膜太陽能電池的邊緣隔離,解決了薄膜太陽能電池進行激光清邊時可能產生短路而影響薄膜太陽能電池性能的問題。
技術領域
本發明屬于非晶硅薄膜太陽能電池加工領域,尤其涉及薄膜太陽能電池制備方法及其邊緣隔離方法。
背景技術
在現有的太陽能薄膜太陽能電池技術中,薄膜太陽能電池具有光電轉化率高、弱光性能好、成本低,既可以在硬質襯底,如玻璃上成膜做成剛性組件,又可以在柔性襯底上,如不銹鋼、鋁和耐高溫高分子材料上做成柔性組件,最適合作為光伏建筑一體化使用等優點,受到了人們關注,是一種很有發展潛力的太陽能薄膜太陽能電池技術。
目前,在薄膜太陽能電池的加工工藝中,通常采用激光來對薄膜太陽能電池的進行清邊處理。然而,在利用激光對薄膜太陽能電池進行清邊過程中,由于激光器的脈寬和能量都是很大的,受激光的熱影響,清邊處容易出現短路而影響薄膜太陽能電池性能。
發明內容
基于此,有必要針對薄膜太陽能電池進行激光清邊時可能產生短路而影響薄膜太陽能電池性能的問題,提供一種薄膜太陽能電池制備方法及其邊緣隔離方法。
一種薄膜太陽能電池邊緣隔離方法,該方法用于對經激光清邊后的薄膜太陽能電池進行邊緣隔離,所述薄膜太陽能電池包括依次層疊設置的襯底基板、背電極層、吸收層和透明導電層,所述薄膜太陽能電池經過激光清邊后,所述襯底基板兩側形成短邊清邊區域,所述短邊清邊區域的延伸方向與薄膜太陽能電池的內聯刻線相垂直,該方法包括以下步驟:
提供經激光清邊后的薄膜太陽能電池;
機械刻刀移動到所述薄膜太陽能電池離所述短邊清邊區域預設距離處;
所述機械刻刀受恒力驅使移動至所述機械刻刀的刀頭正好與所述背電極層的表面接觸;
所述薄膜太陽能電池與所述機械刻刀沿垂直于所述內聯刻線的方向相對移動,使得所述機械刻刀刮除掉所述透明導電層和所述吸收層。
在其中一個實施方式中,所述薄膜太陽能電池與所述機械刻刀沿垂直于所述內聯刻線的方向相對移動,使得所述機械刻刀刮除掉所述透明導電層和所述吸收層進一步包括步驟:
所述機械刻刀保持位置不變,所述薄膜太陽能電池沿垂直于所述內聯刻線的方向移動,使得所述機械刻刀刮除掉所述透明導電層和所述吸收層;
或者,
所述薄膜太陽能電池不動,所述機械刻刀沿垂直于所述內聯刻線的方向移動,使得所述機械刻刀刮除掉所述透明導電層和所述吸收層。
在其中一個實施方式中,所述機械刻刀受恒力驅使移動至所述機械刻刀的刀頭正好與所述背電極層的表面接觸的步驟之前,所述機械刻刀先移動到距所述薄膜太陽能電池表面1mm~2mm處。
在其中一個實施方式中,所述恒力為1N~2N,調節精度為0.01N,波動范圍小于5%。
在其中一個實施方式中,所述薄膜太陽能電池通過吸附裝置吸附固定于工作臺上。
在其中一個實施方式中,所述機械刻刀的刀頭為鎢鋼材質或金剛石材質。
在其中一個實施方式中,所述機械刻刀的刀頭與所述薄膜太陽能電池的表面垂直度在±5um以內。
在其中一個實施方式中,所述機械刻刀的刃口寬度為0.1mm~0.5mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





