[發(fā)明專利]一種CN薄膜的復(fù)合制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810560537.1 | 申請(qǐng)日： | 2018-06-04 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108754421A | 公開（公告）日： | 2018-11-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 彭壽;沈洪雪;姚婷婷;楊勇;李剛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中建材蚌埠玻璃工業(yè)設(shè)計(jì)研究院有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C23C14/06 | 分類號(hào)： | C23C14/06;C23C14/22;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源專利商標(biāo)事務(wù)所 34113 | 代理人： | 陳俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜 離子束沉積 襯底 制備 磁控濺射設(shè)備 真空腔 清洗 復(fù)合 室內(nèi) 退火 襯底表面雜質(zhì) 磁控濺射 獨(dú)立控制 濺射靶材 退火過(guò)程 可控性 離子束 離子源 氣氛爐 石墨 油污 去除 配合 | ||
1.一種CN薄膜的復(fù)合制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、清洗襯底，去除襯底表面雜質(zhì)與油污；
S2、采用磁控濺射設(shè)備與離子束沉積設(shè)備，清洗后的襯底先置于磁控濺射設(shè)備的真空腔室內(nèi)，以石墨為濺射靶材，在襯底上制備C膜；
S3、制備完C膜的襯底轉(zhuǎn)置于離子束沉積設(shè)備的真空腔室內(nèi)，以N2為離子束的N+離子源，在C膜表面進(jìn)行離子束沉積，得到CN薄膜；
S4、在N2氣氛爐中，以250℃對(duì)CN薄膜退火3小時(shí)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種CN薄膜的復(fù)合制備方法，其特征在于，步驟S2磁控濺射時(shí)真空度為4.0*10－4Pa，濺射氣體Ar氣30sccm，工作氣壓0.5Pa，濺射功率150W，濺射時(shí)間30min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種CN薄膜的復(fù)合制備方法，其特征在于，步驟S1的襯底為單晶硅襯底。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
