[發(fā)明專利]一種提升器件柵控能力的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810556671.4
• 申請(qǐng)日: 2018-05-31
• 公開（公告）號(hào): CN108807406A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃勝男;羅清威;李赟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11531
• 分類號(hào): H01L27/11531;H01L27/11536;H01L27/11521
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

本發(fā)明涉及一種提升器件柵控能力的方法，包括以下步驟：提供襯底，所述襯底分為器件區(qū)和外圍區(qū)；在所述襯底上沉積第一多晶硅層；在第一多晶硅層上沉積二氧化硅層；去除所述器件區(qū)上的二氧化硅層；在所述器件區(qū)的第一多晶硅層上沉積第二多晶硅層；去除所述外圍區(qū)上的二氧化硅層；以及刻蝕所述器件區(qū)上的第二多晶硅層和第一多晶硅層形成第一柵極，刻蝕所述外圍區(qū)上的第一多晶硅層形成第二柵極。本發(fā)明在不影響所述器件區(qū)多晶硅高度的條件下，降低所述外圍區(qū)多晶硅的高度來減少多晶硅的耗盡，以提升器件外圍區(qū)的柵控能力。本發(fā)明提供的提升器件柵控能力的方法，既有助于提升金屬?氧化物?半導(dǎo)體(MOS)類器件的柵控能力，又不影響所述器件區(qū)的性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種提升器件柵控能力的方法。

背景技術(shù)

近年來，在半導(dǎo)體集成電路的存儲(chǔ)器件中，閃存的發(fā)展尤為迅速。閃存具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重寫等優(yōu)點(diǎn)，因而在微機(jī)、自動(dòng)化控制等多項(xiàng)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。在器件中，控制柵與字線相連，控制信息的讀出與寫入；浮柵埋在二氧化硅絕緣層，處于電“懸浮”狀態(tài)，不與外部導(dǎo)通，注入電荷后可長(zhǎng)期保存。

器件制造工藝中，外圍區(qū)和器件區(qū)的多晶硅通常是同步沉積的，但外圍區(qū)多晶硅的高度直接影響器件的柵控能力，現(xiàn)有的方式是直接減少器件上外圍區(qū)多晶硅的沉積量。這種方式的優(yōu)勢(shì)是工藝過程簡(jiǎn)單，劣勢(shì)是器件區(qū)的高度也會(huì)相應(yīng)降低，導(dǎo)致影響器件區(qū)器件的性能。

因此，急需提供一種提升器件柵控能力的方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中器件柵控能力低，器件區(qū)多晶硅厚度不夠而影響產(chǎn)品性能的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種提升器件柵控能力的方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中器件柵控能力低，器件區(qū)多晶硅厚度不夠而影響產(chǎn)品性能的問題。

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提供了一種提升器件柵控能力的方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底，所述襯底分為器件區(qū)和外圍區(qū)；

在所述襯底上沉積第一多晶硅層；

在第一多晶硅層上沉積二氧化硅層；

去除所述器件區(qū)上的二氧化硅層；

在所述器件區(qū)的第一多晶硅層上沉積第二多晶硅層；

去除所述外圍區(qū)上的二氧化硅層；以及

刻蝕所述器件區(qū)上的第二多晶硅層和第一多晶硅層形成第一柵極，刻蝕所述外圍區(qū)上的第一多晶硅層形成第二柵極。

可選的，在所述提升器件柵控能力的方法中，第一多晶硅層和第二多晶硅層的厚度范圍均為95納米～105納米。

可選的，在所述提升器件柵控能力的方法中，采用濕法刻蝕工藝去除所述二氧化硅層。

可選的，在所述提升器件柵控能力的方法中，所述濕法刻蝕工藝包括采用氫氟酸去除所述二氧化硅層。

可選的，在所述提升器件柵控能力的方法中，在所述器件區(qū)的第一多晶硅層上沉積第二多晶硅層的同時(shí)，所述第二多晶硅層還形成在所述外圍區(qū)的二氧化硅層上，在去除所述外圍區(qū)上的二氧化硅層之前，采用化學(xué)機(jī)械研磨的方法去除所述外圍區(qū)上的第二多晶硅層。

可選的，在所述提升器件柵控能力的方法中，在所述器件區(qū)所述襯底上依次設(shè)置有隧道氧化層、浮柵層和柵極氧化層。

可選的，在所述提升器件柵控能力的方法中，所述器件區(qū)襯底上包括依次設(shè)置的隧道氧化層、浮柵層和柵極氧化層。

可選的，在所述提升器件柵控能力的方法中，刻蝕所述器件區(qū)上的第二多晶硅層和第一多晶硅層形成第一柵極的步驟包括：在所述第二多晶硅層上涂光刻膠并進(jìn)行圖案化，接著以圖案化的光刻膠為掩膜刻蝕所述第二多晶硅層和所述第一多晶硅層形成第一柵極。