[發(fā)明專(zhuān)利]一種提升器件柵控能力的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810556671.4
• 申請(qǐng)日: 2018-05-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108807406A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃勝男;羅清威;李赟
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11531
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11531;H01L27/11536;H01L27/11521
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種提升器件柵控能力的方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底，所述襯底分為器件區(qū)和外圍區(qū)；

在所述襯底上沉積第一多晶硅層；

在第一多晶硅層上沉積二氧化硅層；

去除所述器件區(qū)上的二氧化硅層；

在所述器件區(qū)的第一多晶硅層上沉積第二多晶硅層；

去除所述外圍區(qū)上的二氧化硅層；以及

刻蝕所述器件區(qū)上的第二多晶硅層和第一多晶硅層形成第一柵極，刻蝕所述外圍區(qū)上的第一多晶硅層形成第二柵極。

2.如權(quán)利要求1所述的提升器件柵控能力的方法，其特征在于，第一多晶硅層和第二多晶硅層的厚度范圍均為95納米～105納米。

3.如權(quán)利要求1所述的提升器件柵控能力的方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝去除所述二氧化硅層。

4.如權(quán)利要求3所述的提升器件柵控能力的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝包括采用氫氟酸去除所述二氧化硅層。

5.如權(quán)利要求1所述的提升器件柵控能力的方法，其特征在于，在所述器件區(qū)的第一多晶硅層上沉積第二多晶硅層的同時(shí)，所述第二多晶硅層還形成在所述外圍區(qū)的二氧化硅層上，在去除所述外圍區(qū)上的二氧化硅層之前，采用化學(xué)機(jī)械研磨的方法去除所述外圍區(qū)上的第二多晶硅層。

6.如權(quán)利要求1所述的提升器件柵控能力的方法，其特征在于，所述器件區(qū)襯底上包括依次設(shè)置的隧道氧化層、浮柵層和柵極氧化層。

7.如權(quán)利要求6所述的提升器件柵控能力的方法，其特征在于，所述柵極氧化層包括依次層疊設(shè)置的氧化物層、氮化物層和氧化物層。

8.如權(quán)利要求1所述的提升器件柵控能力的方法，其特征在于，刻蝕所述器件區(qū)上的第二多晶硅層和第一多晶硅層形成第一柵極的步驟包括：在所述第二多晶硅層上涂光刻膠并進(jìn)行圖案化，接著以圖案化的光刻膠為掩膜刻蝕所述第二多晶硅層和所述第一多晶硅層形成第一柵極。

9.如權(quán)利要求1所述的提升器件柵控能力的方法，其特征在于，刻蝕所述外圍區(qū)上的第一多晶硅層形成第二柵極的步驟包括：在所述第一多晶硅層上涂光刻膠并進(jìn)行圖案化，接著以圖案化的光刻膠為掩膜刻蝕所述第一多晶硅層形成第二柵極。

10.如權(quán)利要求9所述的提升器件柵控能力的方法，其特征在于，在刻蝕形成第二柵極之后，還包括以下步驟：進(jìn)行濕法清洗。