[發(fā)明專利]曝光后烘焙裝置及晶圓線寬優(yōu)化方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810554485.7
• 申請(qǐng)日: 2018-06-01
• 公開（公告）號(hào): CN108803260A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 耿文練;楊正凱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/38
• 分類號(hào): G03F7/38;H05B3/20;H05B3/02;H05B1/02
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種曝光后烘焙裝置，其特征在于，包括：一晶圓、一熱板以及一加熱裝置，所述熱板位于所述晶圓下方，用于對(duì)所述晶圓進(jìn)行加熱，所述加熱裝置位于所述熱板下方，用于對(duì)所述熱板進(jìn)行加熱，所述加熱裝置包括一底盤和多個(gè)熱探針，所述多個(gè)熱探針設(shè)置于所述底盤上，且所述多個(gè)熱探針的溫度可控。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光后烘焙裝置，其特征在于，所述多個(gè)熱探針的一端插設(shè)于所述底盤上，所述多個(gè)熱探針的另一端朝向所述熱板的方向。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2任一項(xiàng)所述的曝光后烘焙裝置，其特征在于，所述多個(gè)熱探針均勻設(shè)置于所述底板上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光后烘焙裝置，其特征在于，所述熱探針的個(gè)數(shù)為m，其中m≥50。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光后烘焙裝置，其特征在于，所述多個(gè)熱探針朝向所述熱板方向的一端的面積為s，其中0.01mm²≤s≤5mm²。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光后烘焙裝置，其特征在于，所述多個(gè)熱探針加熱的溫度誤差在±0.1℃以內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光后烘焙裝置，其特征在于，所述多個(gè)熱探針加熱的溫度誤差在±0.01℃以內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光后烘焙裝置，其特征在于，所述多個(gè)熱探針并聯(lián)連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光后烘焙裝置，其特征在于，曝光后烘焙裝置還包括升降裝置，所述升降裝置連接所述熱板，用于垂直方向移動(dòng)所述熱板。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光后烘焙裝置，其特征在于，曝光后烘焙裝置還包括升降裝置，所述升降裝置連接所述加熱裝置，用于垂直方向移動(dòng)所述加熱裝置。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光后烘焙裝置，其特征在于，曝光后烘焙裝置還包括冷卻裝置，所述冷卻裝置用于對(duì)所述多個(gè)熱探針進(jìn)行散熱。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的曝光后烘焙裝置，其特征在于，所述冷卻裝置環(huán)繞在所述多個(gè)熱探針的周圍。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光后烘焙裝置，其特征在于，曝光后烘焙裝置還包括線寬控制單元，用于檢測(cè)所述晶圓表面多個(gè)坐標(biāo)位置對(duì)應(yīng)的圖形的線寬，并輸出一控制信號(hào)至所述加熱裝置。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的曝光后烘焙裝置，其特征在于，所述線寬控制單元包括：

檢測(cè)單元，連接所述晶圓，用于檢測(cè)所述晶圓表面多個(gè)坐標(biāo)位置對(duì)應(yīng)的圖形的線寬；

計(jì)算單元，連接所述檢測(cè)單元，并接收所述檢測(cè)單元輸出的所述晶圓上多個(gè)坐標(biāo)位置對(duì)應(yīng)的圖形的線寬，并輸出一溫度控制信號(hào)；以及

溫度控制單元，連接所述計(jì)算單元，以接收所述計(jì)算單元輸出的所述溫度控制信號(hào)，并根據(jù)所述溫度控制信號(hào)輸出所述控制信號(hào)至所述加熱裝置。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的曝光后烘焙裝置，其特征在于，所述控制信號(hào)包括控制所述多個(gè)熱探針的溫度的控制信號(hào)。

16.一種晶圓線寬優(yōu)化方法，其特征在于，包括：

步驟S1，提供一線寬D與熱板溫度T之間的函數(shù)關(guān)系式D＝f(T)；

步驟S2，提供一晶圓，對(duì)所述晶圓進(jìn)行光刻工藝；

步驟S3，提供一檢測(cè)單元，檢測(cè)所述晶圓表面多個(gè)坐標(biāo)位置對(duì)應(yīng)的圖形的線寬，輸出測(cè)試線寬信號(hào)；

步驟S4，提供一計(jì)算單元，接收所述測(cè)試線寬信號(hào)，計(jì)算出所述晶圓表面上多個(gè)坐標(biāo)位置對(duì)應(yīng)的圖形的目標(biāo)線寬與所述測(cè)試線寬的線寬誤差△D_n；

步驟S5，若線寬誤差△D_n大于或等于設(shè)定值，所述計(jì)算單元根據(jù)所述函數(shù)關(guān)系式D＝f(T)計(jì)算出對(duì)應(yīng)線寬誤差△D_n的一溫度控制信號(hào)，并進(jìn)入步驟S6；

步驟S6，提供一溫度控制單元，根據(jù)所述溫度控制信號(hào)輸出一控制信號(hào)至所述加熱裝置，并進(jìn)入步驟S2；以及

步驟S7，若線寬誤差△D_n小于設(shè)定值，則以步驟S2中的所述光刻工藝中熱板的溫度參數(shù)進(jìn)行量產(chǎn)晶圓的光刻工藝。