[發明專利]建立晶圓格點的方法

有效

• 申請號: 201810554482.3
• 申請日: 2018-06-01
• 公開（公告）號: CN108831877B
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 鄧國貴;陳燕鵬;于世瑞
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

本發明涉及一種建立晶圓格點的方法，涉及半導體集成電路制造工藝，包括：步驟S1，對晶圓進行層間對準量測，獲得所述晶圓上多個曝光區內的多個套刻標記的位置坐標；步驟S2，所述晶圓在掃描電鏡上做多個點的對準，獲得所述晶圓的所述多個曝光區之間的位置信息；以及步驟S3，根據所述晶圓上所述多個曝光區內的所述多個套刻標記的位置坐標和所述晶圓的所述多個曝光區之間的位置信息擬合出晶圓格點；以使晶圓格點更加準確反映曝光后的晶圓上的每個點的位置信息。

技術領域

本發明涉及一種集成電路制造技術，尤其涉及一種建立晶圓格點的方法。

背景技術

在半導體集成電路制造工藝中，對晶圓上的圖形的關鍵尺寸(CD)的量測是其中非常重要的一步。

目前，最常用的量測機臺就是掃描電鏡。隨著技術節點從65nm到40nm到28nm到14nm，再到10nm一路演化并且往7nm，5nm方向行進，圖形的特征尺寸越來越小，導致對其關鍵尺寸的量測越來越困難，在量測過程中對圖形定位的要求越來越高。導致了需要建立越來越復雜和精細的量測程序，比如由小倍率到大倍率的雙重位置定位的程序等。

而掃描電鏡量測過程中的第一步對準因為其本身的設計以及電子掃描的低速度的問題，只會做整片晶圓上有限的幾個點的對準，從而只能對晶圓上曝光區之間建立格點。具體的，可參閱圖1，圖1為現有技術的建立晶圓格點的過程示意圖。如圖1所示，晶圓在掃描電鏡上做三個點的對準，以此建立曝光區之間的晶圓格點。這樣的做法忽略了每個曝光區域本身的變形，從而導致了建立的晶圓格點與真實的位置坐標產生了較大的誤差，這個誤差導致在做關鍵尺寸量測時定位不夠精確，因而需要建立更復雜更精細的量測程序來彌補，也對掃描電鏡的移動精度提出更高的要求，且導致量測過程中較高的定位失效率。

發明內容

本發明的目的在于提供一種建立晶圓格點的方法，使晶圓格點更加準確反映曝光后的晶圓上的每個點的位置信息。

本發明提供的建立晶圓格點的方法，包括：步驟S1，對晶圓進行層間對準量測，獲得所述晶圓上多個曝光區內的多個套刻標記的位置坐標；步驟S2，所述晶圓在掃描電鏡上做多個點的對準，獲得所述晶圓的所述多個曝光區之間的位置信息；以及步驟S3，根據所述晶圓上所述多個曝光區內的所述多個套刻標記的位置坐標和所述晶圓的所述多個曝光區之間的位置信息擬合出晶圓格點。

更進一步的，在步驟S1中對所述晶圓進行層間對準量測時，一個曝光區內量測的套刻標記的數量為5個以上。

更進一步的，在步驟S1中對所述晶圓進行層間對準量測時，所述晶圓上的每個曝光區內均量測多個套刻標記的位置坐標。

更進一步的，在步驟S1中對所述晶圓進行層間對準的量測時，沒量測套刻標記的曝光區通過外延的方式確定該曝光區內的套刻標記的位置坐標。

更進一步的，在步驟S2中所述晶圓在掃描電鏡上做三到五個之間的點的對準。

更進一步的，所述晶圓在掃描電鏡上做三個點的對準。

本發明提供的建立晶圓格點的方法，在晶圓格點建立過程中，綜合了當層中曝光區內部的格點信息和曝光區之間的晶圓格點信息，使晶圓格點更加準確反映曝光后的晶圓上的每個點的位置信息，因此改善了量測圖形的定位精度，減少位置定位失效率從而提高了掃描電鏡量測的效率和可靠性；由于定位更加精確，因此在進行關鍵尺寸掃描電鏡量測時，降低了關鍵尺寸掃描電鏡量測程序中對定位的要求，降低了量測的定位失效率，提高了量測機臺的利用率，提高了生產效率。

附圖說明

圖1為現有技術的建立晶圓格點的過程示意圖。

圖2為本發明一實施例的建立晶圓格點的過程示意圖。

圖3為本發明一實施例的掃描電鏡的定位精度示意圖。

圖中主要元件附圖標記說明如下：