[發明專利]建立晶圓格點的方法有效
| 申請號： | 201810554482.3 | 申請日： | 2018-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN108831877B | 公開（公告）日： | 2020-04-07 |
| 發明（設計）人： | 鄧國貴;陳燕鵬;于世瑞 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四華 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 建立 晶圓格點 方法 | ||
1.一種利用掃描電鏡量測晶圓上圖形的關鍵尺寸的過程中建立晶圓格點的方法，其特征在于，包括：
步驟S1，對晶圓進行層間對準量測以量測當層套刻標記與前層套刻標記之間的偏移量，獲得所述晶圓上多個曝光區內的當層中的多個套刻標記的位置坐標，以建立當層中曝光區內部的格點，得出曝光區的準確形變的信息；
步驟S2，所述晶圓在掃描電鏡上做多個點的對準，獲得所述晶圓的所述多個曝光區之間的位置信息，以建立曝光區之間的晶圓格點；以及
步驟S3，根據所述晶圓上所述多個曝光區內的所述多個套刻標記的位置坐標而建立的當層中曝光區內部的格點和所述晶圓的所述多個曝光區之間的位置信息而建立的曝光區之間的晶圓格點擬合出晶圓格點。
2.根據權利要求1所述的建立晶圓格點的方法，其特征在于，在步驟S1中對所述晶圓進行層間對準量測時，一個曝光區內量測的套刻標記的數量為5個以上。
3.根據權利要求1所述的建立晶圓格點的方法，其特征在于，在步驟S1中對所述晶圓進行層間對準量測時，所述晶圓上的每個曝光區內均量測多個套刻標記的位置坐標。
4.根據權利要求1所述的建立晶圓格點的方法，其特征在于，在步驟S1中對所述晶圓進行層間對準的量測時，沒量測套刻標記的曝光區通過外延的方式確定該曝光區內的套刻標記的位置坐標。
5.根據權利要求1所述的建立晶圓格點的方法，其特征在于，在步驟S2中所述晶圓在掃描電鏡上做三到五個之間的點的對準。
6.根據權利要求5所述的建立晶圓格點的方法，其特征在于，所述晶圓在掃描電鏡上做三個點的對準。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力集成電路制造有限公司，未經上海華力集成電路制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810554482.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
