[發(fā)明專利]一種基材加工方法和目標(biāo)基材、電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810550846.0
• 申請(qǐng)日: 2018-05-31
• 公開（公告）號(hào): CN108660418B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莫博宇;林四亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 維沃移動(dòng)通信有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/22
• 分類號(hào): C23C14/22;H04M1/02
• 代理公司: 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

1.一種基材的加工方法，其特征在于，所述方法包括：

將初始基材固定于鍍膜掛架上；其中，所述鍍膜掛架位于鍍爐內(nèi)；

調(diào)節(jié)所述鍍爐內(nèi)的真空度；

當(dāng)所述鍍爐內(nèi)真空度符合預(yù)設(shè)真空度時(shí)，在鍍爐內(nèi)通入氬氣，以及，控制所述鍍膜掛架以預(yù)設(shè)速率進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；

在接通預(yù)設(shè)頻率的振蕩電源的條件下，將高折射率靶材及低折射率靶材按照預(yù)設(shè)順序沉積至所述初始基材，獲得目標(biāo)基材；其中，所述目標(biāo)基材中折射率膜層的膜層厚度為連續(xù)小梯度遞減形式，或，連續(xù)小梯度遞增形式；

其中，所述鍍膜掛架內(nèi)設(shè)置有一條或多條環(huán)形的水冷管，所述方法還包括：

在沉積時(shí)采用所述水冷管針對(duì)所述初始基材進(jìn)行冷卻；

其中，所述在接通預(yù)設(shè)頻率的振蕩電源的條件下，將高折射率靶材及低折射率靶材按照預(yù)設(shè)順序沉積至所述初始基材，獲得目標(biāo)基材的步驟包括：

在接通大于10MHz的超高頻振蕩電源的條件下，將高折射率靶材及低折射率靶材按照預(yù)設(shè)順序沉積至所述初始基材，獲得目標(biāo)基材。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述初始基材包括膜材料和/或殼體材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述當(dāng)所述鍍爐內(nèi)真空度符合預(yù)設(shè)真空度時(shí)，在鍍爐內(nèi)通入氬氣，以及，控制所述鍍膜掛架以預(yù)設(shè)速率進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的步驟包括：

當(dāng)所述鍍爐內(nèi)真空度下降至1×10^-4Pa時(shí)，在鍍爐內(nèi)通入氬氣，以及，控制所述鍍膜掛架以預(yù)設(shè)速率進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；其中，所述預(yù)設(shè)速率為1至10轉(zhuǎn)每分鐘。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述將初始基材固定于所述鍍膜掛架上的步驟之前，還包括：

針對(duì)所述初始基材進(jìn)行紋理轉(zhuǎn)印。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在接通預(yù)設(shè)頻率的振蕩電源的條件下，將高折射率靶材及低折射率靶材按照預(yù)設(shè)順序沉積至所述初始基材，獲得目標(biāo)基材的步驟包括：

在接通預(yù)設(shè)頻率的振蕩電源的條件下，將高折射率靶材及低折射率靶材交替疊加沉積至所述初始基材，獲得目標(biāo)基材。

6.一種目標(biāo)基材，其特征在于，包括：殼體層和/或聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯PET膜層、交替疊加的多層低折射率膜層及多層高折射率膜層；其中，所述目標(biāo)基材中折射率膜層的膜層厚度為連續(xù)小梯度遞減形式，或，連續(xù)小梯度遞增形式；

所述殼體層和/或PET膜層、所述交替疊加的多層低折射率膜層及多層高折射率膜依次由上自下排列；其中，所述交替疊加的多層低折射率膜層及多層高折射率膜層由低折射率靶材及高折射率靶材在接通預(yù)設(shè)頻率的振蕩電源的條件下按照預(yù)設(shè)順序沉積而成的；其中，所述預(yù)設(shè)頻率的振蕩電源為大于10MHz的超高頻振蕩電源；

其中，所述目標(biāo)基材還包括紋理層及光學(xué)膠層；所述紋理層位于所述殼體層和/或PET膜層與所述交替疊加的多層低折射率膜層及多層高折射率膜之間；所述殼體層及所述光學(xué)膠層位于所述PET膜層之上，所述光學(xué)膠層用于連接所述殼體層及所述PET膜層。

7.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求6所述的目標(biāo)基材。