[發(fā)明專利]一種基材加工方法和目標(biāo)基材、電子設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810550846.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-05-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108660418B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 莫博宇;林四亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 維沃移動(dòng)通信有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/22 | 分類號(hào): | C23C14/22;H04M1/02 |
| 代理公司: | 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 523860 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基材 加工 方法 目標(biāo) 電子設(shè)備 | ||
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種基材加工方法和目標(biāo)基材、電子設(shè)備,所述方法包括:將初始基材固定于鍍膜掛架上;其中,所述鍍膜掛架位于鍍爐內(nèi);調(diào)節(jié)所述鍍爐內(nèi)的真空度;當(dāng)所述鍍爐內(nèi)真空度符合預(yù)設(shè)真空度時(shí),在鍍爐內(nèi)通入氬氣,以及,控制所述鍍膜掛架以預(yù)設(shè)速率進(jìn)行旋轉(zhuǎn);在接通預(yù)設(shè)頻率的振蕩電源的條件下,將高折射率靶材及低折射率靶材按照預(yù)設(shè)順序沉積至所述初始基材,獲得目標(biāo)基材;本發(fā)明實(shí)施例的基材加工方法,不會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染,在使用過(guò)程中,對(duì)移動(dòng)終端的信號(hào)沒(méi)有影響,提高通信的效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種基材加工方法和一種目標(biāo)基材、一種電子設(shè)備。
背景技術(shù)
隨著消費(fèi)類電子產(chǎn)品的日新月異,各品牌之間的電子產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)激烈,消費(fèi)者對(duì)于消費(fèi)類電子產(chǎn)品(如移動(dòng)終端)的要求也越來(lái)越高,除了移動(dòng)終端的硬件規(guī)格(例如處理器、屏幕尺寸與像素、網(wǎng)絡(luò)制式、相機(jī)像素等)外,消費(fèi)者也非常看重移動(dòng)終端的外觀設(shè)計(jì)。
以移動(dòng)終端的外置的透明保護(hù)殼為例,要做到明亮的彩色金屬質(zhì)感效果,目前常用的工藝有在透明保護(hù)殼上噴涂金屬漆或真空金屬鍍膜等表面處理工藝,但市場(chǎng)同質(zhì)化嚴(yán)重,缺乏新穎性。
進(jìn)一步地,經(jīng)過(guò)噴涂金屬漆工藝處理后的透明保護(hù)殼質(zhì)感較普通,且處理過(guò)程會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染;而經(jīng)過(guò)真空鍍金屬膜工藝處理后的透明保護(hù)殼達(dá)不到明亮顏色的效果,且殼體在使用過(guò)程會(huì)對(duì)移動(dòng)終端的信號(hào)產(chǎn)生干擾,有氧化發(fā)黑的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種基材的加工方法和一種目標(biāo)基材、一種電子設(shè)備,而經(jīng)過(guò)真空鍍金屬膜工藝處理后的保護(hù)殼在使用過(guò)程會(huì)對(duì)移動(dòng)終端的信號(hào)產(chǎn)生干擾,有氧化發(fā)黑的上述問(wèn)題。
為了解決上述問(wèn)題,本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種基材的加工方法,所述方法包括:
將初始基材固定于鍍膜掛架上;其中,所述鍍膜掛架位于鍍爐內(nèi);
調(diào)節(jié)所述鍍爐內(nèi)的真空度;
當(dāng)所述鍍爐內(nèi)真空度符合預(yù)設(shè)真空度時(shí),在鍍爐內(nèi)通入氬氣,以及,控制所述鍍膜掛架以預(yù)設(shè)速率進(jìn)行旋轉(zhuǎn);
在接通預(yù)設(shè)頻率的振蕩電源的條件下,將高折射率靶材及低折射率靶材按照預(yù)設(shè)順序沉積至所述初始基材,獲得目標(biāo)基材。
本發(fā)明實(shí)施例還公開(kāi)了一種目標(biāo)基材,包括:殼體層和/或PET膜層、交替疊加的多層低折射率膜層及多層高折射率膜層;
所述殼體層和/或PET膜層、所述交替疊加的多層低折射率膜層及多層高折射率膜依次由上自下排列;其中,所述交替疊加的多層低折射率膜層及多層高折射率膜層由低折射率靶材及高折射率靶材在接通預(yù)設(shè)頻率的振蕩電源的條件下按照預(yù)設(shè)順序沉積而成的。
本發(fā)明實(shí)施例還公開(kāi)了一種電子設(shè)備,包括上述的目標(biāo)基材。
本發(fā)明實(shí)施例包括以下優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明實(shí)施例中,所述方法應(yīng)用于鍍膜設(shè)備,所述鍍膜設(shè)備包括鍍膜掛架及鍍爐,所述方法包括:將初始基材固定于所述鍍膜掛架上;其中,所述鍍膜掛架位于所述鍍爐內(nèi);調(diào)節(jié)所述鍍爐內(nèi)的真空度;當(dāng)所述鍍爐內(nèi)真空度符合預(yù)設(shè)真空度時(shí),在鍍爐內(nèi)通入氬氣,以及,控制所述鍍膜掛架以預(yù)設(shè)速率進(jìn)行旋轉(zhuǎn);在接通預(yù)設(shè)頻率的振蕩電源的條件下,將高折射率靶材及低折射率靶材按照預(yù)設(shè)順序沉積至所述初始基材,獲得目標(biāo)基材;本發(fā)明實(shí)施例的基材加工方法,不會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染,在使用過(guò)程中,對(duì)移動(dòng)終端的信號(hào)沒(méi)有影響,提高通信的效率。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖;
圖1是本發(fā)明實(shí)施例的一種基材加工方法實(shí)施例一的步驟流程圖;
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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