[發明專利]EFEM及向EFEM導入干燥空氣的方法有效
| 申請號: | 201810550821.0 | 申請日: | 2018-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN108987308B | 公開(公告)日: | 2022-10-21 |
| 發明(設計)人: | 岡部勉 | 申請(專利權)人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | efem 導入 干燥 空氣 方法 | ||
本發明提供能夠迅速降低EFEM的內部的濕度的EFEM及向EFEM的干燥空氣的導入方法。一種EFEM,具有:第一室,其具備導入干燥空氣的干燥空氣導入口;第二室,其連接于上述第一室的下方并且具備人能夠出入的開放門;氣流形成部,其在上述第一室和上述第二室之間形成循環氣流;以及氣體排出部,其將上述第二室的氣體從上述第二室排出,上述第一室和上述第二室經由第一連通部和第二連通部連接,上述第一連通部設置有過濾器并且在上述循環氣流的形成時產生從上述第一室向上述第二室的氣流;第二連通部能夠通過通氣狀態變更部變更通氣狀態并且在上述循環氣流的形成時產生從上述第二室向上述第一室的氣流。
技術領域
本發明涉及在半導體工廠內從搬送容器內向處理室搬送晶圓 (Wafer)的EFEM及向EFEM的干燥空氣的導入方法。
背景技術
在半導體的制造工序中,使用被稱為FOUP或FOSB等的晶圓搬送容器進行各處理裝置之間的晶圓的搬送。另外,在從這樣的晶圓搬送容器向處理室搬送晶圓時,能夠使用EFEM(Equipment Front End Module(設備前端模塊))。EFEM形成被稱為微環境等的比工廠內的環境更清潔的空間,并經由該空間在晶圓搬送容器和處理室之間搬送晶圓。因此,晶圓露出的環境在從晶圓搬送容器到處理室的搬送中也維持為清潔,從而能夠保護晶圓免受氧化等的影響(參照專利文獻1)。
另外,近年來,還提出有在EFEM的內部能夠使氣體循環的循環型的EFEM。循環型的EFEM通過在EFEM內部使例如氮氣等的置換氣體循環,從而能夠減少氣體的消耗量。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開平10-340874號公報
然而,現有的EFEM具有如下問題:在由于維護等的理由而打開 EFEM的門從而工廠內的氣體流入EFEM內的情況下,再度恢復至通常運轉時不能夠迅速地降低EFEM的內部的濕度,伴隨于維護等的 EFEM的可動停止時間長。
發明內容
本發明鑒于這樣的實際狀況而完成,提供即使經過了工廠內的氣體暫時地流入內部而濕度上升的狀態之后,也能夠迅速地降低EFEM 的內部的濕度的EFEM以及向EFEM的干燥空氣的導入方法。
本發明的第一觀點所涉及的EFEM具有:第一室,其具備導入干燥空氣的干燥空氣導入口;第二室,其連接于上述第一室的下方并且具備人能夠出入的開放門;氣流形成部,其在上述第一室和上述第二室之間形成循環氣流;以及氣體排出部,其將上述第二室的氣體從上述第二室排出,上述第一室和上述第二室經由第一連通部和第二連通部連接,上述第一連通部設置有過濾器并且在上述循環氣流的形成時產生從上述第一室向上述第二室的氣流;第二連通部能夠通過通氣狀態變更部變更通氣狀態并且在上述循環氣流的形成時產生從上述第二室向上述第一室的氣流。
本發明的第一觀點所涉及的EFEM通過由通氣狀態變更部變更第二連通部的通氣狀態并限制經由第二連通部的氣體的移動,從而能夠將導入到第一室的干燥空氣高效地導向設置于第一連通部的過濾器。另外,這樣的EFEM即使在向第二室流入沒有干燥的空氣的情況下,也能夠防止這樣的沒有干燥的空氣在EFEM的第一室和第二室之間循環而流入過濾器。因此,在這樣的EFEM中,即使在工廠內的沒有干燥的空氣向EFEM的第二室流入的情況下,也能夠防止這樣的空氣朝向過濾器并能夠防止水分附著到過濾器。由此,本發明所涉及的EFEM 即使EFEM的第二室的濕度一次上升,在能夠在遮斷了濕的空氣的流入之后迅速地降低濕度,能夠縮短從維護等恢復到通常運轉的運轉停止時間。
另外,例如,上述氣體排出部也可以連接于上述第二室中的比上述第一連通部更靠近上述第二連通部的位置,上述通氣狀態變更部也可以設置于位于上述干燥空氣導入口的下方且上述氣體排出部的上方的上述第二連通部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





