[發明專利]EFEM及向EFEM導入干燥空氣的方法有效
| 申請號: | 201810550821.0 | 申請日: | 2018-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN108987308B | 公開(公告)日: | 2022-10-21 |
| 發明(設計)人: | 岡部勉 | 申請(專利權)人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | efem 導入 干燥 空氣 方法 | ||
1.一種EFEM,其特征在于,
具有:
第一室,其具備導入干燥空氣的干燥空氣導入口和導入由不活潑氣體構成的置換氣體的氣體導入口;
第二室,其連接于所述第一室的下方并且具備人能夠出入的開放門;
氣流形成部,其在所述第一室和所述第二室之間形成循環氣流;以及
氣體排出部,其將所述第二室的氣體從所述第二室排出,
所述第一室和所述第二室經由第一連通部和第二連通部連接,所述第一連通部設置有過濾器并且在所述循環氣流的形成時產生從所述第一室向所述第二室的氣流,所述第二連通部能夠通過通氣狀態變更部變更通氣狀態并且在所述循環氣流的形成時產生從所述第二室向所述第一室的氣流,
所述第二室具有形成于所述第二室的內部的中間壁、形成于所述中間壁的一側且產生下降氣流的第二前進區域和形成于所述中間壁的另一側且產生上升氣流的第二返回區域,
在所述第二前進區域中流動的氣體在所述第二返回區域中上升之后從所述氣體排出部排出,
所述通氣狀態變更部將所述第一室和所述第二返回區域隔開,
所述通氣狀態變更部位于所述干燥空氣導入口的下方且所述氣體排出部的上方,并且位于所述氣體導入口的下方且所述氣體排出部的上方。
2.如權利要求1所述的EFEM,其特征在于,
所述氣體排出部連接于所述第二室中的比所述第一連通部更靠近所述第二連通部的位置,
所述通氣狀態變更部設置于位于所述干燥空氣導入口的下方且所述氣體排出部的上方的所述第二連通部。
3.如權利要求2所述的EFEM,其特征在于,
所述通氣狀態變更部具有能夠以氣體能夠經由所述第二連通部從所述第二室向所述第一室移動的狀態和氣體不能夠經由所述第二連通部從所述第二室向所述第一室移動的狀態切換所述第二連通部的通氣狀態的閥。
4.一種EFEM,其特征在于,
具有:
第一室,其具備導入干燥空氣的干燥空氣導入口和導入由不活潑氣體構成的置換氣體的氣體導入口;
第二室,其連接于所述第一室的下方并且具備朝向外部的開放門;
氣流形成部,其在所述第一室和所述第二室之間形成循環氣流;以及
氣體排出部,其將所述第二室的氣體從所述第二室排出,
在所述第一室和所述第二室,具有在所述循環氣流的形成時產生下降氣流的下降氣流部和在所述循環氣流的形成時產生上升氣流的上升氣流部,
在所述下降氣流部設置有過濾器,
所述氣體排出部設置于所述上升氣流部,在所述上升氣流部中的比所述氣體排出部更靠近上方的位置,設置有通氣阻抗比所述過濾器高的通氣阻抗部,
所述第二室具有形成于所述第二室的內部的中間壁、形成于所述中間壁的一側且產生下降氣流的第二前進區域和形成于所述中間壁的另一側且產生上升氣流的第二返回區域,
在所述第二前進區域中流動的氣體在所述第二返回區域中上升之后從所述氣體排出部排出,
所述通氣阻抗部將所述第一室和所述第二返回區域隔開,
所述通氣阻抗部位于所述干燥空氣導入口的下方且所述氣體排出部的上方,并且位于所述氣體導入口的下方且所述氣體排出部的上方。
5.如權利要求4所述的EFEM,其特征在于,
所述通氣阻抗部具有通氣阻抗比所述過濾器高的第二過濾器。
6.如權利要求5所述的EFEM,其特征在于,
具有配置于所述上升氣流部并且能夠通過改變所述上升氣流部中的上升氣流的強度而變更所述通氣阻抗部的通氣狀態的第二氣流形成部。
7.如權利要求4~6中任一項所述的EFEM,其特征在于,
所述通氣阻抗部具有能夠以氣體能夠經由所述通氣阻抗部從所述第二室向所述第一室移動的狀態和氣體不能夠經由所述通氣阻抗部從所述第二室向所述第一室移動的狀態切換所述通氣阻抗部的通氣狀態的閥。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





