[發明專利]化學水浴薄膜的沉積方法在審
| 申請號: | 201810548665.4 | 申請日: | 2018-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN110556326A | 公開(公告)日: | 2019-12-10 |
| 發明(設計)人: | 陳騰 | 申請(專利權)人: | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司: | 11435 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 郭棟梁 |
| 地址: | 102600 北京市大興區北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 沉積 水浴反應 化學水 鍍膜 隔離保護層 復合層 節約生產成本 薄膜沉積 表面形成 單面薄膜 分離步驟 復合步驟 清洗工藝 生產效率 薄膜 背面 室內 覆蓋 申請 | ||
1.一種化學水浴薄膜的沉積方法,其特征在于,包括以下步驟:
復合步驟:將隔離保護層覆蓋在鍍膜襯底的一表面形成一復合層;
反應步驟:將復合層通過水浴反應室,啟動水浴反應,使鍍膜襯底在水浴反應室內進行單面薄膜沉積;
分離步驟:沉積完后進行隔離保護層與鍍膜襯底的分離。
2.根據權利要求1所述的沉積方法,其特征在于,所述復合步驟包括:
在第一放卷輥上穿設隔離保護層,在第二放卷輥上穿設鍍膜襯底;
放卷,使隔離保護層覆蓋在所述鍍膜襯底一表面,形成復合層。
3.根據權利要求1所述的沉積方法,其特征在于,所述分離步驟包括:
將隔離保護層和鍍膜襯底分開,將隔離保護層繞至第一收卷輥,鍍膜襯底纏繞至第二收卷輥。
4.根據權利要求1所述的沉積方法,其特征在于,在反應步驟之后分離步驟之前,還包括:
對復合層兩側殘余反應溶液進行清洗的步驟,以及
對復合層兩側進行烘干的步驟。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的沉積方法,其特征在于,所述隔離保護層為柔性磁鐵,所述鍍膜襯底為不銹鋼襯底。
6.根據權利要求5所述的沉積方法,其特征在于,所述柔性磁鐵為具有強磁性的橡膠磁條或磁鐵薄膜。
7.根據權利要求1-4所述的沉積方法,其特征在于,所述鍍膜襯底上設有背電極金屬層和p型光吸收層,所述隔離保護層覆蓋在所述鍍膜襯底遠離背電極金屬層的一面。
8.根據權利要求1-4中任一項所述的沉積方法,其特征在于,還包括固定步驟:將隔離保護層纏繞至第一收卷輥并固定,將鍍膜襯底纏繞至第二收卷輥并固定。
9.根據權利要求1-4中任一項所述的沉積方法,其特征在于,所述隔離保護層和鍍膜襯底寬度相同。
10.根據權利要求1-4任一項所述的沉積方法,其特征在于,所述啟動水浴反應包括:
給水浴反應室的反應槽體加注反應溶液,并升溫,反應溶液沒過鍍膜襯底。
11.根據權利要求10所述的沉積方法,其特征在于,所述反應溶液溫度升至65℃-70℃,然后保持恒溫。
12.根據權利要求10所述的沉積方法,其特征在于,所述反應槽體為耐腐蝕槽體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





