[發(fā)明專利]測(cè)試基板及延長(zhǎng)測(cè)試基板使用壽命的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810545832.X
• 申請(qǐng)日: 2018-05-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108847381A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張正洋;張?jiān)綇?qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發(fā)明提供一種測(cè)試基板，用于在干刻蝕制程中被進(jìn)行刻蝕模擬，測(cè)試基板包括：玻璃基板，以及制備于玻璃基板表面的刻蝕層，刻蝕層用于被干刻設(shè)備刻蝕形成圖案，且阻擋刻蝕力作用于玻璃基板表面；有益效果為：本發(fā)明提供的測(cè)試基板，在基板表面制備刻蝕層，用于被干刻設(shè)備刻蝕形成圖案，且阻擋刻蝕力作用于基板表面，保護(hù)基板表面不被霧化，進(jìn)而延長(zhǎng)基板使用壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示面板制造領(lǐng)域，尤其涉及一種測(cè)試基板，以及延長(zhǎng)測(cè)試基板在干刻蝕制程中的使用壽命的方法。

背景技術(shù)

干法刻蝕工藝可分為物理性刻蝕與化學(xué)性刻蝕兩種方式。物理性刻蝕是利用輝光放電將氣體(如氬)電離成帶正電的離子，再利用偏壓將離子加速，濺擊在被刻蝕物的表面而將被刻蝕物的原子擊出，該過(guò)程完全是物理上的能量轉(zhuǎn)移，故稱為物理性刻蝕。化學(xué)性刻蝕或稱為等離子體刻蝕，是利用等離子體將刻蝕氣體電離并形成帶電離子、分子及反應(yīng)性很強(qiáng)的原子團(tuán)，它們擴(kuò)散到被刻蝕薄膜表面后與被刻蝕薄膜的表面原子反應(yīng)生成具有揮發(fā)性的反應(yīng)產(chǎn)物，并被真空設(shè)備抽離反應(yīng)腔。因這種反應(yīng)完全利用化學(xué)反應(yīng)，故稱為化學(xué)性刻蝕。最為廣泛使用的方法是結(jié)合物理性的離子轟擊與化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)離子刻蝕。

干刻蝕機(jī)臺(tái)設(shè)備在復(fù)機(jī)及新recipe(程序)導(dǎo)入前需要用Dummy(虛擬)基板確認(rèn)腔室狀態(tài)，Dummy基板為表面未鍍?nèi)魏文拥乃夭ＡЩ澹诘入x子體的作用下，Dummy基板用幾次后表面會(huì)產(chǎn)生霧化現(xiàn)象，當(dāng)Dummy基板表面產(chǎn)生霧化，設(shè)備內(nèi)的傳感器感應(yīng)不到Dummy基板而導(dǎo)致機(jī)械手取不到基板，導(dǎo)致該基板無(wú)法再次使用，造成浪費(fèi)。

綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)的干刻蝕制程中使用的Dummy基板，多次使用后表面霧化而無(wú)法繼續(xù)使用，從而造成資源浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種測(cè)試基板，表面制備有阻擋刻蝕的膜層，以阻擋刻蝕力作用于基板表面導(dǎo)致基板表面霧化，以解決現(xiàn)有技術(shù)的干刻蝕制程中使用的Dummy基板，多次使用后表面霧化而無(wú)法繼續(xù)使用，從而造成資源浪費(fèi)的技術(shù)問(wèn)題。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供一種測(cè)試基板，用于在干刻蝕制程中被模擬刻蝕，所述測(cè)試基板包括：

玻璃基板；以及，

刻蝕層，制備于所述玻璃基板表面，用于被干刻設(shè)備刻蝕形成圖案，且阻擋刻蝕力作用于所述玻璃基板表面。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述刻蝕層采用光阻材料制備。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述刻蝕層的膜層厚度至少為

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述刻蝕層的膜層厚度為

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明還提供一種干刻蝕制程中延長(zhǎng)測(cè)試基板使用壽命的方法，所述方法為：在使用干刻蝕設(shè)備對(duì)測(cè)試用玻璃基板表面進(jìn)行刻蝕之前，在所述玻璃基板表面制備一刻蝕層；

其中，所述刻蝕層用于被干刻設(shè)備刻蝕形成圖案，且阻擋刻蝕力作用于所述玻璃基板表面。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述干刻蝕設(shè)備在對(duì)所述刻蝕層進(jìn)行刻蝕時(shí)，減少刻蝕氣體含量，和/或改用對(duì)所述刻蝕層損傷強(qiáng)度小的刻蝕氣體。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述刻蝕層采用光阻材料制備，其中，制備所述刻蝕層的方法包括：

S10，在所述玻璃基板表面涂布光刻膠；

S20，對(duì)所述光刻膠進(jìn)行烘烤以固化形成所述刻蝕層。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述刻蝕層的膜層厚度至少為

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，當(dāng)所述刻蝕層經(jīng)多次刻蝕后至膜層厚度小于時(shí)，將所述刻蝕層完全去除，并在所述玻璃基板表面重新制備所述刻蝕層。