[發明專利]制造半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 201810543261.6
• 申請日: 2018-05-31
• 公開（公告）號: CN108987295A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發明（設計）人: 柳生祐貴
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張小穩

本公開涉及制造半導體裝置的方法。本發明：可以提高半導體裝置的可靠性；并提供一種制造半導體裝置的方法，該方法包括以下步驟：(a)提供半導體晶片，所述半導體晶片具有焊盤電極、包含銅的第一導電層、光致抗蝕劑膜和包含金的第二導電層，(b)在所述第二導電層的表面上形成包含碘的保護膜，(c)去除所述光致抗蝕劑膜，(d)用氬離子照射所述保護膜并去除所述保護膜，以及(e)使接合線的一部分與所述第二導電層的表面接觸。

相關申請的交叉引用

于2017年6月1日提交的日本專利申請No.2017-109399的公開(包括說明書、附圖和摘要)通過引用整體并入本文。

技術領域

本發明涉及：一種制造半導體裝置的方法；特別地涉及可有效應用于制造通過導電層將導線與焊盤電極的表面連接而形成的半導體裝置的方法的技術。

背景技術

在日本未審查專利申請公開No.2010-157683(專利文獻1)中公開了采用鈀膜作為種子金屬膜并使用碘系蝕刻液作為蝕刻液的技術。

引用列表

專利文獻

專利文獻1：日本未審專利申請公開No.2010-157683

發明內容

例如，存在通過經由接合線將諸如引線框架或布線板之類的基底材料的端子與安裝在基底材料上的半導體芯片的焊盤電極彼此電連接而形成的半導體裝置。具體而言，存在通過經由預先形成在焊盤電極之上的導電層將接合線與焊盤電極連接而形成的半導體裝置。

根據本發明人的研究，已經發現，接合線的接合可靠性(接合強度)取決于導電層的構造和形成方法而劣化。因此，期望通過設計導電層的構造和形成方法來提高半導體裝置的可靠性。

其它問題和新穎特征將從本說明書的描述和附圖中變得明顯。

根據實施例的制造半導體裝置的方法包括以下步驟：(a)提供具有焊盤電極、第一導電層、光致抗蝕劑膜和第二導電層的半導體晶片。此外，制造半導體裝置的方法包括以下步驟：(b)在第二導電層的表面上形成包含碘的保護膜，(c)去除光致抗蝕劑膜，(d)去除第一導電層的一部分，(e)用氬離子照射保護膜并去除保護膜，以及(f)使接合線的一部分與第二導電層的表面接觸。

根據實施例，可以提高半導體裝置的可靠性。

附圖說明

圖1是根據本實施例的半導體裝置的平面圖。

圖2是在圖1中的線A-A上截取的截面圖。

圖3是根據本實施例的半導體芯片的平面圖。

圖4是在圖3中的線B-B上截取的主要部分的截面圖。

圖5是示出根據本實施例的半導體裝置的制造步驟的工藝流程圖。

圖6是根據本實施例的制造步驟期間的半導體裝置的平面圖。

圖7是接著圖6的制造步驟期間的半導體裝置的平面圖。

圖8是在圖7中所示的制造步驟期間的半導體裝置的截面圖。

圖9是接著圖8的制造步驟期間的半導體裝置的截面圖。

圖10是接著圖9的制造步驟期間的半導體裝置的截面圖。

圖11是接著圖10的制造步驟期間的半導體裝置的截面圖。

圖12是接著圖11的制造步驟期間的半導體裝置的截面圖。

圖13是接著圖12的制造步驟期間的半導體裝置的截面圖。

圖14是接著圖13的制造步驟期間的半導體裝置的截面圖。