[發明專利]制造半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 201810543261.6
• 申請日: 2018-05-31
• 公開（公告）號: CN108987295A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發明（設計）人: 柳生祐貴
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張小穩

1.一種制造半導體裝置的方法，包括以下步驟：

(a)提供半導體晶片，所述半導體晶片具有第一表面、形成在所述第一表面上的焊盤電極、形成在所述第一表面上并具有暴露所述焊盤電極的一部分的第一開口的第一絕緣膜、形成在所述第一絕緣膜的表面上并且通過所述第一開口的內側與所述焊盤電極電連接的第一導電層、形成在所述第一導電層的表面上并具有暴露所述第一導電層的一部分的第二開口的第二絕緣膜、以及形成在所述第二開口中的所述第一導電層的表面上的第二導電層；

(b)在步驟(a)之后，去除所述第二絕緣膜，

(c)在步驟(b)之后，去除與所述第二導電層不重疊的所述第一導電層的一部分；

(d)在步驟(c)之后，經由管芯接合材料將通過切割所述半導體晶片而獲得的半導體芯片安裝在基底材料上；

(e)在步驟(d)之后，用氬離子照射所述半導體芯片；和

(f)在步驟(e)之后，使接合線的一部分與所述半導體芯片的所述第二導電層的表面接觸，

其中，在步驟(c)之前，在所述第二導電層的表面上形成包含碘的保護膜，以及

其中在步驟(e)中去除所述保護膜。

2.根據權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其中在步驟(b)之前形成所述保護膜。

3.根據權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其中在步驟(b)之后且在步驟(c)之前形成所述保護膜。

4.根據權利要求1所述的制造半導體裝置的方法：

其中所述第一導電層包含銅；和

其中通過濕法蝕刻方法施加步驟(b)。

5.根據權利要求1所述的制造半導體裝置的方法：

其中所述第一導電層包含銅；和

其中通過濕法蝕刻方法施加步驟(c)。

6.根據權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，

其中所述第二導電層的表面具有接觸所述接合線的一部分的第一區域和除所述第一區域之外的第二區域；和

其中所述保護膜選擇性地形成在所述第一區域處。

7.根據權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，

其中在步驟(a)提供的所述半導體晶片具有形成在所述第二開口中的所述第一導電層的表面上的第三導電層；和

其中所述第二導電層形成在所述第三導電層的表面上。

8.根據權利要求7所述的制造半導體裝置的方法，

其中在步驟(a)提供的所述半導體晶片形成在所述第一絕緣膜的表面上并具有第四導電層，所述第四導電層通過所述第一開口的內側與所述焊盤電極電連接；

其中所述第一導電層形成在所述第四導電層的表面上；和

其中所述方法還包括以下步驟：

(g)在步驟(c)之后且在步驟(d)之前，去除與所述第二導電層不重疊的所述第四導電層的一部分。

9.根據權利要求8所述的制造半導體裝置的方法，其中，所述第四導電層包括鈦。

10.根據權利要求7所述的制造半導體裝置的方法，其中所述第三導電層包含鎳。

11.根據權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，還包括以下步驟：

(h)在步驟(f)之后用樹脂密封所述半導體芯片和所述接合線。

12.根據權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其中所述保護膜包含單層的碘吸附膜。

13.根據權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其中通過在碘氣氛中暴露所述半導體晶片而形成所述保護膜。

14.根據權利要求1所述的制造半導體裝置的方法，其中通過將所述半導體晶片浸入碘-碘化鉀溶液中而形成所述保護膜。