[發(fā)明專利]研磨機臺及研磨方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810542757.1
• 申請日: 2018-05-30
• 公開（公告）號: CN108655947A
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姚力軍;潘杰;王學(xué)澤;沈佳迪
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: B24B37/26
• 分類號: B24B37/26;B24B37/005;B24B37/10;B24B37/34;B24B57/02
• 代理公司: 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 吳迪

本發(fā)明實施例提供一種研磨機臺及研磨方法。所述研磨機臺包括：研磨頭；設(shè)置在所述研磨頭下方的研磨臺；放置在所述研磨臺上的研磨墊；以及所述研磨墊上設(shè)置有溝槽。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及車床工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種研磨機臺及研磨方法。

背景技術(shù)

產(chǎn)品應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)中的CMP(Chemical Mechanical Polishing，中文稱：化學(xué)機械拋光工藝)工藝，對于平面度要求比較高。但是現(xiàn)有技術(shù)中的CMP工藝不能滿足需求。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實施例的目的在于提供一種研磨機臺及研磨方法。

本發(fā)明實施例提供的一種研磨機臺，包括：

研磨頭；

設(shè)置在所述研磨頭下方的研磨臺；

放置在所述研磨臺上的研磨墊；以及

所述研磨墊上設(shè)置有溝槽。

可選地，所述研磨墊為圓形研磨墊。

將所述研磨墊設(shè)置成圓形，可以使用研磨墊與所述研磨臺可以更好地配合。另外，在研磨過程中，研磨頭一般使用旋轉(zhuǎn)的方式運作，因為將所述研磨墊設(shè)置成圓形可以更好地契合所述研磨頭的運作軌跡。

可選地，所述研磨墊設(shè)置有多個溝槽，每個溝槽為圓環(huán)形溝槽。

將所述溝槽設(shè)置成圓環(huán)形溝槽，可以使用溝槽與所述研磨頭的運作軌跡契合，可以更好地研磨目標物。

可選地，所述圓環(huán)形溝槽的圓心與所述研磨墊的圓心位置相同。

可選地，所述研磨機臺還包括研磨液供給設(shè)備，用于向所述研磨臺上噴射研磨液。

可選地，所述研磨液為二氧化硅水溶液。

選取所述二氧化硅水溶液作為研磨液可以更好地與所述目標物產(chǎn)生摩擦，且易因為所述研磨液的顆粒導(dǎo)致研磨后的目標物的平面度過大。

可選地，所述研磨機臺還包括：

控制設(shè)備，所述控制設(shè)備用于控制所述研磨頭、研磨墊轉(zhuǎn)動。

本發(fā)明實施例還提供一種研磨方法，應(yīng)用于研磨機臺，所述研磨機臺包括：研磨頭；設(shè)置在所述研磨頭下方的研磨臺；放置在所述研磨臺上的研磨墊；以及所述研磨墊上設(shè)置有溝槽，所述方法包括：

將目標物吸附在所述研磨頭上，

所述研磨頭在所述研磨墊上轉(zhuǎn)動；

所述研磨墊按照預(yù)設(shè)的速度轉(zhuǎn)動，以所述研磨墊與所述研磨頭產(chǎn)生相對運動，以對所述研磨頭上的所述目標物進行研磨。

可選地，所述研磨機臺包括控制設(shè)備，所述控制設(shè)備控制所述研磨頭和研磨臺轉(zhuǎn)動，其中所述控制設(shè)備控制各設(shè)備的運動參數(shù)為：

控制設(shè)備控制所述研磨墊的轉(zhuǎn)速為75-85rpm內(nèi)的任一轉(zhuǎn)速，研磨頭的轉(zhuǎn)速為55-65rpm內(nèi)的任一轉(zhuǎn)速，給所述研磨頭施加的壓力為 0.115-0.125Mpa內(nèi)的任一壓力值，研磨液流量2.3-2.7ml/s中的任一速度,研磨時間為32-37min中任意值。

可選地，所述研磨機臺包括控制設(shè)備，所述控制設(shè)備控制所述研磨頭和研磨臺轉(zhuǎn)動，其中所述控制設(shè)備控制各設(shè)備的運動參數(shù)為：所述控制設(shè)備控制所述研磨墊的轉(zhuǎn)速為80rpm，研磨頭的轉(zhuǎn)速為60rpm，給所述研磨頭施加的壓力為0.12Mpa，研磨液流量2.5ml/s，研磨時間為35min。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例的研磨機臺及研磨方法，通過選取有溝槽的研磨墊，可以使用目標物能夠更好地與所述研磨墊產(chǎn)生摩擦實現(xiàn)目標物的研磨，也能夠使用研磨的效果更好。