[發(fā)明專利]一種超疏水白炭黑的低溫等離子體制備新工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810541791.7 | 申請日： | 2018-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN108841207B | 公開（公告）日： | 2020-09-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王卉;曹瑩瑩;陳丹丹;鄧興宇;陳澤文 | 申請（專利權(quán)）人： | 杭州電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | C09C1/30 | 分類號： | C09C1/30;C09C3/08 |
| 代理公司： | 杭州君度專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 黃前澤 |
| 地址： | 310018 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 疏水 炭黑 低溫 等離子體 制備 新工藝 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種白炭黑的低溫等離子體制備工藝，其特征在于該方法包括以下步驟：
步驟（1）、把二氧化硅放入低溫等離子體裝置中；
步驟（2）、將改性劑在一定溫度下加熱汽化；
所述的改性劑為一氯乙烷、二氯乙烷、一氯丙烷中的至少一種；
所述的汽化溫度為50～200℃；
步驟（3）、將汽化后的改性劑與一定流速的載氣混合，并通入低溫等離子體裝置中；
所述的載氣為Ar、N2、He中的至少一種，載氣流速為30～200ml/min；
步驟（4）、在一定功率下，低溫等離子體放電啟動一段時間后，即可得到疏水白炭黑；
所述的等離子體放電功率為2～20W，處理30～300min，溫度為20-80℃。
2.如權(quán)利要求1所述的一種白炭黑的低溫等離子體制備工藝，其特征在于所述的低溫等離子體的放電方式為：電暈放電、介質(zhì)阻擋放電、滑動電弧放電、或者脈沖放電中的任意一種。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于杭州電子科技大學(xué)，未經(jīng)杭州電子科技大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810541791.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
