[發(fā)明專利]雙面電極及其圖案化方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810541243.4 | 申請日: | 2018-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN110554789B | 公開(公告)日: | 2023-09-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蕭仲欽;練修成;蔡家揚(yáng) | 申請(專利權(quán))人: | 英屬維京群島商天材創(chuàng)新材料科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉雙;李巖 |
| 地址: | 維爾京群島*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙面 電極 及其 圖案 方法 | ||
一種雙面電極的圖案化方法,包括:提供基板,基板具有相對兩表面,該兩表面上分別設(shè)有第一感光層與第二感光層;設(shè)置由金屬納米線所組成的第一金屬納米線層于第一感光層上,設(shè)置由金屬納米線所組成的第二金屬納米線層于第二感光層上;以及進(jìn)行雙面黃光微影步驟,包括:將第一感光層及第二感光層進(jìn)行曝光以定義出去除區(qū)與保留區(qū);以及使用顯影液將位于去除區(qū)的第一感光層與金屬納米線以及位于去除區(qū)的第二感光層與金屬納米線去除,以將第一金屬納米線層與第二金屬納米線層圖案化而分別形成設(shè)置于該兩表面上的第一電極及第二電極。更提出一種雙面電極。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于一種雙面電極及其圖案化方法。
背景技術(shù)
由于透明導(dǎo)體可同時具有光穿透性與適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電性,因而常應(yīng)用于許多顯示或觸控相關(guān)的裝置中。一般而言,透明導(dǎo)體可以是各種金屬氧化物,例如氧化銦錫(Indium?TinOxide,ITO)、氧化銦鋅(Indium?Zinc?Oxide,IZO)、氧化鎘錫(Cadmium?Tin?Oxide,CTO)或摻鋁氧化鋅(Aluminum-doped?Zinc?Oxide,AZO)。金屬氧化物薄膜可通過物理氣象沉積法或化學(xué)氣象沉積法而形成,并通過激光工藝而形成適當(dāng)圖案。然而,這些金屬氧化物薄膜的制作方法可能面臨高昂的成本、復(fù)雜的工藝以及低良率的問題。在部份情況下,經(jīng)圖案化的金屬氧化物薄膜也可能有容易被觀察到的問題。因此,現(xiàn)今發(fā)展出了多種透明導(dǎo)體,例如利用納米線等材料所制作的透明導(dǎo)體。
然而利用納米線制作觸控電極,納米線與周邊區(qū)的金屬引線在工藝上及結(jié)構(gòu)上都有許多待解決的問題,例如在進(jìn)行雙面結(jié)構(gòu)圖案化的工藝中,先對基板上層的納米銀表面上進(jìn)行光阻涂布,再進(jìn)行曝光、顯影、蝕刻等步驟,完成上層電極結(jié)構(gòu)的制作之后,會先將上層完成的電極結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù),再依序?qū)ο聦拥募{米銀進(jìn)行光阻涂布、曝光、顯影、蝕刻等步驟。而除了一般黃光微影的圖案化工藝之外,也有通過激光剝離的技術(shù)來進(jìn)行圖案化。上述工藝在技術(shù)上都需分別對上下兩層進(jìn)行制作,故工藝步驟上較為繁瑣,也相對費(fèi)時。
若以激光進(jìn)行納米線的圖案化蝕刻時,如參數(shù)調(diào)控不當(dāng),激光多余的能量所形成的熱效應(yīng),反而會破壞導(dǎo)線的邊緣精度,甚至傷害到底下基板造成部分缺陷;另外,現(xiàn)有技術(shù)提及在納米銀層與基板之間加入阻擋層,但當(dāng)工藝完成之后,阻擋層仍會殘留在基板上,對于光學(xué)特性上(例如可見光穿透率或霧度等)造成影響,劣化了影像顯示質(zhì)量。
又例如傳統(tǒng)工藝采用的蝕刻液大多為強(qiáng)酸性,故會導(dǎo)致金屬引線受到蝕刻液的作用,使產(chǎn)品可靠度下降;另外,蝕刻液的殘留問題也需要額外的清潔過程方能克服。
再一方面,利用納米線制作觸控感應(yīng)電極的工藝中,通常會需要在納米在線成形外涂層(overcoat),以保護(hù)納米線,但殘留的外涂層夾設(shè)在焊接墊與外部電路板之間,會造成接觸阻抗過高的問題。
因此在利用納米線制作觸控感應(yīng)電極的工藝上、電極結(jié)構(gòu)上必須依照材料特性重新設(shè)計(jì),使產(chǎn)品達(dá)到較佳的表現(xiàn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的部分實(shí)施方式,提出了雙面電極的圖案化方法,其具有高制作效率的優(yōu)勢。
本發(fā)明的部分實(shí)施方式提出一種雙面電極的圖案化方法,包括:提供一基板,基板具有相對兩表面,該兩表面上分別設(shè)有第一感光層與第二感光層;設(shè)置由金屬納米線所組成的第一金屬納米線層于第一感光層上,設(shè)置由金屬納米線所組成的第二金屬納米線層于第二感光層上;以及進(jìn)行雙面黃光微影步驟,包括:將第一感光層及第二感光層進(jìn)行曝光以定義出去除區(qū)與保留區(qū);以及使用顯影液將位于去除區(qū)的第一感光層與金屬納米線以及位于去除區(qū)的第二感光層與金屬納米線去除,以將第一金屬納米線層與第二金屬納米線層圖案化而分別形成設(shè)置于該兩表面上的第一電極及第二電極。
于本發(fā)明的部分實(shí)施方式中,將該第一感光層及該第二感光層進(jìn)行曝光包括:設(shè)置一第一曝光源對應(yīng)該第一感光層,設(shè)置一第二曝光源對應(yīng)該第二感光層,其中該第一曝光源與該第二曝光源為相同波段的曝光源;其中該第一感光層吸收大于該第一曝光源的光線總能量的約80%,該第二感光層吸收大于該第二曝光源的光線總能量的約80%。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于英屬維京群島商天材創(chuàng)新材料科技股份有限公司,未經(jīng)英屬維京群島商天材創(chuàng)新材料科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810541243.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:安置于顯示裝置上的觸摸板
- 下一篇:觸摸板
- 同類專利
- 專利分類
G06F 電數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)處理
G06F3-00 用于將所要處理的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變成為計(jì)算機(jī)能夠處理的形式的輸入裝置;用于將數(shù)據(jù)從處理機(jī)傳送到輸出設(shè)備的輸出裝置,例如,接口裝置
G06F3-01 .用于用戶和計(jì)算機(jī)之間交互的輸入裝置或輸入和輸出組合裝置
G06F3-05 .在規(guī)定的時間間隔上,利用模擬量取樣的數(shù)字輸入
G06F3-06 .來自記錄載體的數(shù)字輸入,或者到記錄載體上去的數(shù)字輸出
G06F3-09 .到打字機(jī)上去的數(shù)字輸出
G06F3-12 .到打印裝置上去的數(shù)字輸出





