[發明專利]雙面電極及其圖案化方法

有效

• 申請號: 201810541243.4
• 申請日: 2018-05-30
• 公開（公告）號: CN110554789B
• 公開（公告）日: 2023-09-01
• 發明（設計）人: 蕭仲欽;練修成;蔡家揚
• 申請（專利權）人: 英屬維京群島商天材創新材料科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 王玉雙;李巖

1.一種雙面電極的圖案化方法，其特征在于，包括：

提供一基板，該基板具有相對兩表面，該兩表面上分別設有一第一感光層與一第二感光層；

設置由金屬納米線所組成的一第一金屬納米線層于該第一感光層上，設置由金屬納米線所組成的一第二金屬納米線層于該第二感光層上；以及

進行一雙面黃光微影步驟，包括：

將該第一感光層及該第二感光層進行曝光以各定義出一去除區與一保留區；以及

使用顯影液將位于該去除區的該第一感光層及第二感光層全部去除，藉以移除設置于該第一感光層上的該第一金屬納米線層以及移除設置于該第二感光層上的該第二金屬納米線層，以將該第一金屬納米線層與該第二金屬納米線層圖案化而分別形成設置于該兩表面上的一第一電極及一第二電極。

2.如權利要求1所述的雙面電極的圖案化方法，其特征在于，將該第一感光層及該第二感光層進行曝光包括：

設置一第一曝光源對應該第一感光層，設置一第二曝光源對應該第二感光層，其中該第一曝光源與該第二曝光源為相同波段的曝光源；

其中該第一感光層吸收大于該第一曝光源的光線總能量的80％，該第二感光層吸收大于該第二曝光源的光線總能量的80％。

3.如權利要求1所述的雙面電極的圖案化方法，其特征在于，將該第一感光層及該第二感光層進行曝光包括：

設置一第一曝光源對應該第一感光層，設置一第二曝光源對應該第二感光層，其中該第一曝光源與該第二曝光源為相同波段的曝光源；

其中該第一感光層及該第二感光層添加有0.1％～10％的光吸收添加物。

4.如權利要求3所述的雙面電極的圖案化方法，其特征在于，該光吸收添加物的濃度為1％～3％，該第一曝光源的光線對該第一感光層的穿透率(light?transmission)在30％以下，該第二曝光源的光線對該第二感光層的穿透率(light?transmission)在30％以下。

5.如權利要求1所述的雙面電極的圖案化方法，其特征在于，將該第一感光層及該第二感光層進行曝光包括：

設置一第一曝光源對應該第一感光層，設置一第二曝光源對應該第二感光層，其中該第一曝光源與該第二曝光源為不同波段的曝光源。

6.如權利要求1所述的雙面電極的圖案化方法，其特征在于，該第一感光層及該第二感光層為相同感光性的光阻。

7.如權利要求1所述的雙面電極的圖案化方法，其特征在于，更包括：

成形一保護層；以及

成形一周邊線路，其中該周邊線路電性連接該第一電極及該第二電極。

8.一種雙面電極，其特征在于，包含：

一基板，其中該基板具有相對的一第一表面及一第二表面；及

設置于該第一表面上的一第一感光層及一第一金屬納米線層與設置于該第二表面上的一第二感光層及一第二金屬納米線層，其中該第一感光層設置于該基板及該第一金屬納米線層之間，其中該第二感光層設置于該基板及該第二金屬納米線層之間；

其中該第一感光層與該第二感光層經曝光后定義出一去除區與一保留區，位于該去除區的該第一感光層經顯影而被全部移除時同時移除其所對應的該第一金屬納米線層進而定義出位于該第一表面的一第一電極，位于該去除區的該第二感光層經顯影而被全部移除時同時移除其所對應的該第二金屬納米線層進而定義出位于該第二表面的一第二電極。

9.如權利要求8所述的雙面電極，其特征在于，該第一感光層及該第二感光層為具有相同光波段吸收特性的光阻，該第一感光層吸收大于一第一曝光源的光線總能量的80％，該第二感光層吸收大于一第二曝光源的光線總能量的80％。

10.如權利要求8所述的雙面電極，其特征在于，該第一感光層及該第二感光層為具有相同光波段吸收特性的光阻，該第一感光層及該第二感光層添加有0.1％～10％的光吸收添加物。