[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板、顯示面板以及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810539241.1
• 申請日: 2018-05-30
• 公開（公告）號: CN108461492B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 聶曉輝;張嘉偉
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 袁江龍

本申請公開了一種薄膜晶體管陣列基板、顯示面板以及顯示裝置。陣列基板包括基板以及靜電釋放線路層，靜電釋放線路層設(shè)置在基板一側(cè)的非顯示區(qū)內(nèi)，靜電釋放線路層包括圍繞顯示區(qū)設(shè)置的導(dǎo)電線路及與導(dǎo)電線路電連接的靜電釋放器件；其中，靜電釋放器件包括多個間隔設(shè)置的靜電釋放單元，靜電釋放單元一端連接基板邊緣，另一端連接導(dǎo)電線路。通過將靜電釋放器件的截面設(shè)置為梳齒狀可以解決現(xiàn)有的顯示面板在切割的過程中容易出現(xiàn)膜層損壞的問題，從而提高顯示面板的切割良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜晶體管陣列基板、顯示面板以及顯示裝置。

背景技術(shù)

低溫多晶硅薄膜晶體管(Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor，LTPS-TFT)具有載流子遷移率高，器件尺寸小等突出優(yōu)點，是發(fā)展低功耗、高集成度顯示面板的關(guān)鍵技術(shù)。LTPS-TFT陣列基板的制作需經(jīng)歷成膜、光刻、清洗等多道工藝，涉及多種制程機臺。在生產(chǎn)過程中，陣列基板與制程機臺的摩擦接觸極易導(dǎo)致靜電積累，引起LTPS-TFT膜層靜電放電(Electrostatic Discharge,ESD)損傷，導(dǎo)致器件失效。為防止LTPS-TFT陣列基板制造過程中器件ESD損傷，常用的方案是在屏幕的顯示區(qū)域外圍制作金屬防護線路(Guard ring),線路的兩端使用重摻雜的Poly-Si作為靜電釋放器件，引導(dǎo)靜電在顯示區(qū)域外釋放，從而實現(xiàn)對顯示區(qū)域半導(dǎo)體器件的保護。

然而現(xiàn)有技術(shù)中靜電釋放器件膜層的厚度較大且與其他層的熱膨脹系數(shù)不同因此會導(dǎo)致靜電釋放器件膜層與其他層之間形成應(yīng)力積累；同時靜電釋放器件膜層結(jié)構(gòu)與其他區(qū)域差別較大，從而存在臺階，當陣列基板和彩膜(Color Filter,CF)基板組立完成切割時，臺階的存在導(dǎo)致重摻雜Poly-Si靜電釋放器件所受應(yīng)力較大，造成膜層破裂。

發(fā)明內(nèi)容

本申請?zhí)岢鲆环N薄膜晶體管陣列基板、顯示面板以及顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的LTPS陣列基板切割時容易造成膜層破裂的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的一個技術(shù)方案是：提出一種薄膜晶體管陣列基板，包括：

基板，包括顯示區(qū)及包圍顯示區(qū)的非顯示區(qū)；

靜電釋放線路層，設(shè)置在基板一側(cè)的非顯示區(qū)內(nèi)，靜電釋放線路層包括圍繞顯示區(qū)設(shè)置的導(dǎo)電線路及與導(dǎo)電線路電連接的靜電釋放器件；

其中，靜電釋放器件包括多個間隔設(shè)置的靜電釋放單元，靜電釋放單元一端連接沿述基板邊緣，另一端與導(dǎo)電線路連接。

其中，多個靜電釋放單元的截面呈梳齒型。

其中，基板與靜電釋放線路層之間還具有緩沖層。

其中，靜電釋放單元的材質(zhì)包括多晶硅。

其中，靜電釋放單元背對基板的一側(cè)還包括依次層疊設(shè)置的柵絕緣層、層間絕緣層、間隔層以及鈍化保護層。

為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的另一個技術(shù)方案是：提出一種一種顯示面板，包括層疊設(shè)置的薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板，其中，薄膜晶體管陣列基板包括：

基板，包括顯示區(qū)及包圍所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)；

靜電釋放線路層，設(shè)置在所述基板一側(cè)的所述非顯示區(qū)內(nèi)，所述靜電釋放線路層包括圍繞所述顯示區(qū)設(shè)置的導(dǎo)電線路及與所述導(dǎo)電線路電連接的靜電釋放器件；

其中，靜電釋放器件包括多個間隔設(shè)置的靜電釋放單元，靜電釋放單元一端連接沿述基板邊緣，另一端與導(dǎo)電線路連接。

其中，多個靜電釋放單元的截面呈梳齒型。

其中，基板與靜電釋放線路層之間還具有緩沖層。