[發明專利]薄膜晶體管陣列基板、顯示面板以及顯示裝置有效
| 申請號： | 201810539241.1 | 申請日： | 2018-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN108461492B | 公開（公告）日： | 2021-03-30 |
| 發明（設計）人： | 聶曉輝;張嘉偉 | 申請（專利權）人： | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 袁江龍 |
| 地址： | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 陣列 顯示 面板 以及 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括：
基板，包括顯示區及包圍所述顯示區的非顯示區；
靜電釋放線路層，設置在所述基板一側的所述非顯示區內，所述靜電釋放線路層包括圍繞所述顯示區設置的導電線路及與所述導電線路電連接的靜電釋放器件；多個所述靜電釋放單元的截面呈梳齒型；
其中，所述靜電釋放器件包括多個間隔設置的靜電釋放單元，所述靜電釋放單元一端連接沿述基板邊緣，另一端與所述導電線路連接；
其中，由所述基板的邊緣到所述基板內側的方向上，
至少一個所述靜電釋放單元的寬度逐漸減小；或
所述靜電釋放單元呈曲線狀延伸，所述靜電釋放單元呈弧形線狀延伸或者S形線狀延伸；或者
至少一個所述靜電釋放單元的寬度逐漸增大。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述基板與所述靜電釋放線路層之間還具有緩沖層。
3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述靜電釋放單元的材質包括多晶硅。
4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述靜電釋放單元背對所述基板的一側還包括依次層疊設置的柵絕緣層、層間絕緣層、間隔層以及鈍化保護層。
5.一種顯示面板，其特征在于，包括層疊設置的薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板，其中，薄膜晶體管陣列基板包括：
基板，包括顯示區及包圍所述顯示區的非顯示區；
靜電釋放線路層，設置在所述基板一側的所述非顯示區內，所述靜電釋放線路層包括圍繞所述顯示區設置的導電線路及與所述導電線路電連接的靜電釋放器件；多個所述靜電釋放單元的截面呈梳齒型；
其中，所述靜電釋放器件包括多個間隔設置的靜電釋放單元，所述靜電釋放單元一端連接沿述基板邊緣，另一端與所述導電線路連接；
其中，由所述基板的邊緣到所述基板內側的方向上，
至少一個所述靜電釋放單元的寬度逐漸減小；或
所述靜電釋放單元呈曲線狀延伸，所述靜電釋放單元呈弧形線狀延伸或者S形線狀延伸；或者
至少一個所述靜電釋放單元的寬度逐漸增大。
6.根據權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述基板與所述靜電釋放線路層之間還具有緩沖層。
7.根據權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述靜電釋放單元的材質包括多晶硅；
所述靜電釋放單元背對所述基板的一側還包括依次層疊設置的柵絕緣層、層間絕緣層、間隔層以及鈍化保護層。
8.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求1-4任一項所述的薄膜晶體管陣列基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
