[發明專利]一種發光二極管芯片的點測設備

有效

• 申請號: 201810538521.0
• 申請日: 2018-05-30
• 公開（公告）號: CN108957274B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 彭功恒;葉青賢;向光勝;喻海波
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管芯片的點測設備，其特征在于，所述點測設備包括:

承片裝置，用于承載發光二極管芯片；

光路轉換裝置，設置在所述承片裝置與所述發光二極管芯片之間，用于將所述發光二極管芯片射向所述承片裝置的光反射至所述發光二極管芯片的出光面；

收光裝置，朝向所述發光二極管芯片的出光面設置，用于檢測所述發光二極管芯片的光學參數；

所述承片裝置包括：

鋁合金承載盤，所述鋁合金承載盤的中部設有用于容納所述光路轉換裝置的凹槽，所述凹槽內設有多個第一真空孔，所述多個第一真空孔用于將所述光路轉換裝置吸附在所述鋁合金承載盤上；所述鋁合金承載盤的邊緣設有多個第二真空孔，所述多個第二真空孔用于將所述發光二極管芯片吸附在所述鋁合金承載盤上；

所述承片裝置還包括：

檢測模塊，用于檢測所述多個第一真空孔和所述多個第二真空孔的狀態；

判斷模塊，用于根據所述檢測模塊的檢測結果判斷所述光路轉換裝置與所述承片裝置的位置關系、以及所述發光二極管芯片與所述承片裝置的位置關系；

所述多個第一真空孔均與所述第一真空管連接，所述判斷模塊用于：

當所述檢測模塊檢測到所述第一真空管內的壓強的絕對值大于等于第一預設值時，判斷所述光路轉換裝置設置在所述凹槽內；

當所述檢測模塊檢測到所述第一真空管內的壓強的絕對值小于所述第一預設值時，判斷所述光路轉換裝置未設置在所述凹槽內；

所述多個第二真空孔均與所述第二真空管連接，所述判斷模塊用于：

當所述檢測模塊檢測到所述第二真空管內的壓強的絕對值大于等于第二預設值時，判斷所述發光二極管芯片設置在所述承片裝置上；

當所述檢測模塊檢測到所述第二真空管內的壓強的絕對值小于所述第二預設值時，判斷所述發光二極管芯片未設置在所述承片裝置上。

2.根據權利要求1所述的點測設備，其特征在于，所述光路轉換裝置包括承載盤和設置在所述承載盤的端面上的反射層，所述反射層位于所述承載盤和所述發光二極管芯片之間，所述反射層用于將所述發光二極管芯片射向所述承片裝置的光反射至所述發光二極管芯片的出光面。

3.根據權利要求2所述的點測設備，其特征在于，所述承載盤為金屬承載盤。

4.根據權利要求1所述的點測設備，其特征在于，所述承片裝置還包括:

信號發射單元，用于發送控制信號，所述控制信號用于控制所述第一真空孔和所述第二真空孔的開啟和閉合；

信號接收單元，用于接收所述信號發射單元發送的所述控制信號；

電磁閥，用于根據所述信號接收單元接收的所述控制信號，控制所述第一真空孔和所述第二真空孔的開啟和閉合。

5.根據權利要求1所述的點測設備，其特征在于，所述點測設備還包括：

步進馬達，用于驅動所述承片裝置旋轉，使所述收光裝置檢測所述發光二極管芯片不同區域的光電參數。