[發明專利]一種太陽能電池硅片槽式清洗方法

在審

• 申請號: 201810537928.1
• 申請日: 2018-05-30
• 公開（公告）號: CN108766869A
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發明（設計）人: 王永偉;朱杰;衛春燕;王猛;陳亮;張維;陳林
• 申請（專利權）人: 蘇州日弈新電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L31/18
• 代理公司: 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257
• 代理人: 耿丹丹

本發明公開了一種太陽能電池硅片槽式清洗方法，屬于晶硅太陽能電池技術領域。本發明的方法先采用氨水、雙氧水和水的混合液對太陽能電池硅片進行處理；再使用鹽酸、雙氧水和水的混合液或者鹽酸、雙氧水、氫氟酸和水的混合液對太陽能電池硅片進行處理；然后進行慢提拉脫水處理；最后烘干處理得到太陽能電池硅片。本發明的技術方案適用于單晶、多晶和類單晶，基體選擇不受限制，并且本發明的清洗液配制方便，節約成本。采用本發明的清洗去除方法，可以徹底去除這些殘留的金屬離子或者其它雜質，從而保證了太陽能電池片的光電轉換效率。

技術領域

本發明涉及一種太陽能電池硅片槽式清洗方法，屬于晶硅太陽能電池技術領域。

背景技術

目前在晶硅太陽能電池領域，比較常見的三種晶硅基體電池是多晶、單晶、類單晶，常規單晶一般采取堿制絨的方式，形成金字塔狀結構，黑硅制絨主要針對多晶或者類單晶進行絨面制備。目前無論是單晶或者黑硅制絨，都是采用雙面制絨方式，即：承載盒的每個卡槽插一片硅片，這就限制了產能的提升。實際上，單晶或者黑硅制絨，都是只需要硅片的一面吸收光能，起到陷光效應，從而增加光電轉化效率，而硅片的另一面則不需要制作絨面形成陷光效應，如果保留這一面的切割損傷層，反而能起到損傷層吸雜的作用，從而提升光電轉換效率。

基于以上事實，單面制絨應運而生，即：承載盒的每個卡槽插兩片硅片，這樣在制絨的過程中，兩片硅片的外側面就會形成陷光效應的絨面結構，而內側面因為兩片硅片貼在一起，保留了切割損傷層。實現了一面制作起陷光效應的絨面結構、另一面保留了起損傷層吸雜作用的切割損傷層，從而提升了太陽能電池的光電轉換效率。

但是即使使用單面制絨技術，由于分子運動原理，兩片硅片之間難以避免有金屬離子或者其它雜質進入，這些金屬離子或者其它雜質如果沒有進一步清洗去除，會在太陽能電池中形成嚴重的復合中心，從而降低光電轉換效率。

目前主要采用鏈式水平清洗方法，由于這種清洗方法，硅片和設備滾輪存在接觸，金屬離子和其它雜質容易殘留在滾輪上面，不易徹底清洗，導致光電轉換效率偏低。

發明內容

為解決這些問題，本發明的目的是提供一種太陽能電池硅片槽式清洗方法，這種方法能徹底去除這些殘留的金屬離子或者其他雜質，從而保證了太陽能電池片的光電轉換效率。

本發明的第一個目的是提供一種太陽能電池硅片槽式清洗方法，包括如下步驟：

(1)使用氨水、雙氧水和水的混合液對太陽能電池硅片進行處理；

(2)將步驟(1)處理后的太陽能電池硅片進行水洗，然后使用鹽酸、雙氧水和水的混合液或者鹽酸、雙氧水、氫氟酸和水的混合液對太陽能電池硅片進行處理；

(3)如果步驟(2)使用鹽酸、雙氧水和水的混合液，則將步驟(2)處理后的太陽能電池硅片進行水洗，然后使用氫氟酸和水的混合液對太陽能電池硅片進一步處理；如果步驟(2)使用鹽酸、雙氧水、氫氟酸和水的混合液，則直接進行步驟(4)；

(4)將步驟(3)的太陽能電池硅片進行水洗，然后進行慢提拉脫水處理；

(5)將步驟(4)處理后的太陽能電池硅片進行烘干處理。

在本發明的一種實施方式中，所述太陽能電池硅片的晶型為單晶、多晶或類單晶。

在本發明的一種實施方式中，在步驟(1)中，氨水濃度為0.05-10％，雙氧水濃度為0.05-10％。

在本發明的一種實施方式中，在步驟(1)中，并聯進行若干次氨水、雙氧水和水混合液處理。

在本發明的一種實施方式中，在步驟(2)中，鹽酸濃度為1-10％，雙氧水濃度為1-10％。

在本發明的一種實施方式中，在步驟(2)中，并聯進行若干次鹽酸、雙氧水和水混合液處理。