[發明專利]一種太陽能電池硅片槽式清洗方法在審
| 申請號： | 201810537928.1 | 申請日： | 2018-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN108766869A | 公開（公告）日： | 2018-11-06 |
| 發明（設計）人： | 王永偉;朱杰;衛春燕;王猛;陳亮;張維;陳林 | 申請（專利權）人： | 蘇州日弈新電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 耿丹丹 |
| 地址： | 215000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能電池硅片 雙氧水 混合液 槽式清洗 單晶 去除 鹽酸 晶硅太陽能電池 光電轉換效率 太陽能電池片 氨水 烘干處理 金屬離子 脫水處理 氫氟酸 清洗液 受限制 再使用 多晶 提拉 配制 清洗 殘留 節約 保證 | ||
1.一種太陽能電池硅片槽式清洗方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)使用氨水、雙氧水和水的混合液對太陽能電池硅片進行處理；
(2)將步驟(1)處理后的太陽能電池硅片進行水洗，然后使用鹽酸、雙氧水和水的混合液或者鹽酸、雙氧水、氫氟酸和水的混合液對太陽能電池硅片進行處理；
(3)如果步驟(2)使用鹽酸、雙氧水和水的混合液，則將步驟(2)處理后的太陽能電池硅片進行水洗，然后使用氫氟酸和水的混合液對太陽能電池硅片進一步處理；如果步驟(2)使用鹽酸、雙氧水、氫氟酸和水的混合液，則直接進行步驟(4)；
(4)將步驟(3)的太陽能電池硅片進行水洗，然后進行慢提拉脫水處理；
(5)將步驟(4)處理后的太陽能電池硅片進行烘干處理。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述太陽能電池硅片的晶型為單晶、多晶或類單晶。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，氨水濃度為0.05-10％，雙氧水濃度為0.05-10％。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，并聯進行若干次氨水、雙氧水和水混合液處理。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中，鹽酸濃度為1-10％，雙氧水濃度為1-10％。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中，氫氟酸濃度為2-15％。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中，并聯進行若干次鹽酸、雙氧水和水混合液處理或并聯進行若干次鹽酸、雙氧水、氫氟酸和水的混合液處理。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(3)中，氫氟酸濃度為2-15％。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(4)中并聯進行若干次慢提拉處理。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(5)中并聯進行若干次烘干處理。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
