[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810533315.0
• 申請(qǐng)日: 2018-05-29
• 公開（公告）號(hào): CN110544746B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張珈銘;曹蔚然
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 李艷麗

本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管，包括相對(duì)設(shè)置的陽極和陰極，以及設(shè)置在所述陽極和所述陰極之間的雙層發(fā)光層，所述雙層發(fā)光層包括鄰近所述陽極設(shè)置的第一發(fā)光層和鄰近所述陰極設(shè)置的第二發(fā)光層，其中，所述第一發(fā)光層為雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層，所述第二發(fā)光層為量子點(diǎn)發(fā)光層。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光二極管及其制備方法。

背景技術(shù)

膠體量子點(diǎn)因其熒光效率高、單色性好、發(fā)光波長可調(diào)控和穩(wěn)定性好而在顯示器件領(lǐng)域有著可觀的應(yīng)用前景。基于量子點(diǎn)的發(fā)光二極管(量子點(diǎn)發(fā)光二極管，Quantum dotlight-emitting diode,QLED)具有更好的色彩飽和度、能效色溫以及壽命長等優(yōu)點(diǎn)，有望成為下一代固體照明和平板顯示的主流技術(shù)。

白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件報(bào)導(dǎo)的比較少，白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件的主要結(jié)構(gòu)一般有兩種。第一種采用三基色量子點(diǎn)發(fā)光，即選用紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)作為三基色混合發(fā)光為白色；第二種采用藍(lán)色熒光粉作為基底，結(jié)合黃色量子點(diǎn)發(fā)光，與藍(lán)色熒光粉激發(fā)共同作用產(chǎn)生白光。而目前白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件使用的電子傳輸層材料的電子注入能力普遍強(qiáng)于空穴傳輸層材料的空穴注入能力，導(dǎo)致過量的電子注入引起器件功能層如空穴傳輸層的自發(fā)光(寄生發(fā)光)，從而影響量子點(diǎn)發(fā)光器件的發(fā)光純度和復(fù)合效率。另外，如果過量注入的電子在量子點(diǎn)發(fā)光層中輸運(yùn)受阻，會(huì)使得電荷在量子點(diǎn)發(fā)光層累積，嚴(yán)重影響量子點(diǎn)的發(fā)光特性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管及其制備方法，旨在解決現(xiàn)有的發(fā)光二極管使用的電子傳輸層材料的電子注入能力普遍強(qiáng)于空穴傳輸層材料的空穴注入能力，影響發(fā)光器件的發(fā)光純度和復(fù)合效率，以及影響量子點(diǎn)發(fā)光性能的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明一方面提供一種發(fā)光二極管，包括相對(duì)設(shè)置的陽極和陰極，以及設(shè)置在所述陽極和所述陰極之間的雙層發(fā)光層，所述雙層發(fā)光層包括鄰近所述陽極設(shè)置的第一發(fā)光層和鄰近所述陰極設(shè)置的第二發(fā)光層，其中，所述第一發(fā)光層為雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層，所述第二發(fā)光層為量子點(diǎn)發(fā)光層。

本發(fā)明另一方面提供一種發(fā)光二極管的制備方法，所述制備方法包括以下步驟：

提供基板，在所述基板上制備陽極；

在所述陽極上沉積雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料，制備第一發(fā)光層；在所述第一發(fā)光層上沉積量子點(diǎn)發(fā)光材料，制備第二發(fā)光層；

在所述第二發(fā)光層上制備陰極；或

所述制備方法包括以下步驟：

提供基板，在所述基板上制備陰極；

在所述陰極上沉積量子點(diǎn)發(fā)光材料，制備第二發(fā)光層；在所述第二發(fā)光層上沉積雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料，制備第一發(fā)光層；

在所述第一發(fā)光層上制備陽極。

本發(fā)明提供的發(fā)光二極管，設(shè)置有雙層發(fā)光層，具體的，在鄰近所述陽極的一端設(shè)置第一發(fā)光層，鄰近所述陰極的一端設(shè)置第二發(fā)光層。其中，所述第一發(fā)光層為雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層，所述第二發(fā)光層為量子點(diǎn)發(fā)光層。特別的，本發(fā)明在鄰近所述陽極的一端引入的雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層可以促進(jìn)載流子尤其是空穴的注入，將載流子限制在發(fā)光層之中，從而可以降低發(fā)光二極管器件的開啟電壓，有效避免來自發(fā)光二極管器件其他功能層的寄生發(fā)光，提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率和器件發(fā)光純度。

本發(fā)明提供的發(fā)光二極管的制備方法，只需在常規(guī)的發(fā)光二極管的基礎(chǔ)上，在鄰近陽極的一端增加制備一層雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層即可，方法簡單易控，可實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率和高發(fā)光純度的發(fā)光二極管的制備。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的雙異質(zhì)結(jié)納米棒的結(jié)構(gòu)示意圖。